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文檔簡介
1、制備耐高溫一維納米材料,探索其合成方法、調(diào)控機制,實現(xiàn)對納米結(jié)構(gòu)的調(diào)控大量制備,對深入研究材料結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系,和耐高溫一維納米材料在高溫結(jié)構(gòu)材料增強增韌上具有重要的應(yīng)用意義。
本論文在Si-C-N-W體系中,選取了幾種典型的耐高溫一維納米材料進行研究(氮化硅、碳化硅、碳納米管、鎢),探索了能夠大量制備上述一維納米材料的合成方法,圍繞一維納米結(jié)構(gòu)材料的調(diào)控制備、形貌演化規(guī)律、微觀結(jié)構(gòu)變化規(guī)律與生長機制進行了系統(tǒng)的研究,摸清其生
2、長特性與合成條件的依賴關(guān)系。第三章中,采用燃燒合成技術(shù),研究了W為催化劑對氮化硅納米線形貌和結(jié)構(gòu)的影響,提出了氣-固(Vapor-Solid,VS)生長機理,通過原位透射電鏡技術(shù),測試了單根氮化硅納米線的彎曲模量,為氮化硅納米線的調(diào)控生長以及氮化硅納米線在高溫結(jié)構(gòu)材料中的應(yīng)用打下了良好基礎(chǔ)。第四章中,基于燃燒合成技術(shù),在Si-C-N體系中,以硅粉和聚四氟乙烯為原料,在氮氣氣氛下,研究了PTFE加入量對碳化硅納米線形貌、結(jié)構(gòu)、相組成的影響
3、,研究了W和Ti催化劑對碳化硅納米線品質(zhì)影響,在W催化Si-C-N體系中,首次發(fā)現(xiàn)并提出了碳化硅納米線新的生長機理“Si-C-N體系中Si3N4納米線中間體模板誘導(dǎo)SiC納米線生長的生長機理”,在Ti催化的Si-C-N體系中,發(fā)現(xiàn)并證實了碳化硅納米線的氣-液-固(Vapor-Liquid-Solid,VL)生長機理,最后大量制備了碳化硅納米線。利用原位通過原位透射電鏡技術(shù),測試了單根碳化硅納米線的彎曲模量。實驗結(jié)果為碳化硅納米線在高溫結(jié)
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