一維納米材料的構(gòu)筑與表征.pdf

1、一維納米材料重要的理論意義和廠泛的應(yīng)用前景使其成為物理、化學、材料等諸多領(lǐng)域的研究前沿。發(fā)展制備一維納米材料的新方法，開拓新體系是一個十分重要的研究課題。本文在介紹一維納米材料的基本內(nèi)涵、制備方法和發(fā)展趨勢的基礎(chǔ)上，系統(tǒng)研究了用單源前驅(qū)體化學氣相沉積法和溶劑熱法制備納米材料的實驗原理、基本過程、特點及影響因素。我們成功合成了In2O3、ZnS、Co3O4、Sb2S3和CuS等的納米材料以及納米結(jié)構(gòu)自組裝體系，并用XRD、SEM、EDS、

2、TEM等手段對合成產(chǎn)物進行了表征，研究了納米材料的光、磁性質(zhì)。
　　 1.采用化學氣相沉積法，以[In(acac)3]為單源前驅(qū)體，Au為催化劑，成功制得了In2O3納米線。制得的In2O3納米線具有單晶結(jié)構(gòu)，平均直徑約為80nm，長度達十幾微米。光致發(fā)光研究發(fā)現(xiàn)In2O3納米線在483nm處有一個強的發(fā)射峰，這可歸因于氧空位的存在。
　　 2.采用化學氣相沉積法，以Zn(S2CNEt2)2為單源前驅(qū)體，Au為催化劑，在

3、不同的溫度下，得到了不同直徑的六方相ZnS納米線；改用Ni為催化劑，得到碳納米管；改用單質(zhì)S和Zn為原料，則得到立方相ZnS納米線。在一定程度上實現(xiàn)了對ZnS納米線的粒徑和物相的控制合成，實現(xiàn)了利用催化劑對ZnS納米線和碳納米管的選擇性合成。
　　 3.通過熱解[Co(acac)2(H2O)2]，于多孔陽極氧化鋁(PAA)膜的孔道中合成了Co3O4納米管陣列。Co3O4納米管排列有序，直徑約100-300nm，長度達幾十微米。納

4、米管由多晶立方相Co3O4構(gòu)成，論文中還對其磁性進行了研究。
　　 4.以Cu(S2CNEt2)2為單源前驅(qū)體，乙胺為反應(yīng)介質(zhì)，分別以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和十六烷基溴化銨(CTAB)為表面活性劑，用溶劑熱法成功合成了大量花朵狀的CuS微球。CuS微球直徑約2～3μm，由大量厚度僅幾十納米的薄片自組裝而成。研究發(fā)現(xiàn)溶劑和表面活性劑對這種形貌的形成起著非常重要的作用，并探討了其形成機理。
　　 5.以Sb(S2CNEt2