以光纖為基體液相合成摻錫氧化銦透明導(dǎo)電薄膜.pdf

1、摻錫氧化銦（Indium tin oxide，簡(jiǎn)稱(chēng)ITO）薄膜是目前應(yīng)用最為廣泛的透明導(dǎo)電薄膜。以石英光導(dǎo)纖維為基體負(fù)載ITO薄膜，可以充分利用ITO薄膜的導(dǎo)電性能、透光性能和敏感特性等對(duì)光纖進(jìn)行表面功能化修飾，從而應(yīng)用于光電器件或者傳感器件等領(lǐng)域。本課題提供了一種溫和的制備ITO復(fù)合光纖的方法，并對(duì)該方法制備的ITO納米顆粒以及ITO復(fù)合光纖的光電性能等進(jìn)行了表征。
　　首先，采用水熱法結(jié)合煅燒過(guò)程成功制備了結(jié)晶良好的ITO納米

2、粉體，研究了水熱溫度對(duì)ITO晶體的影響。發(fā)現(xiàn)水熱溫度會(huì)影響ITO晶體結(jié)構(gòu)的改變，隨著水熱溫度升高，會(huì)發(fā)生In(OH)3向InOOH晶體的相轉(zhuǎn)變過(guò)程，煅燒后會(huì)得到立方In2O3或者斜方In2O3晶體或者兩者的混合物。以水熱法制備的ITO納米粉體為基礎(chǔ)制備了ITO復(fù)合光纖，發(fā)現(xiàn)160℃水熱溫度下制備的ITO顆粒膜的電阻率最低，為0.8Ω·cm，透光率達(dá)到91.7％；
　　其次，采用乙二醇為溶劑，通過(guò)一步溶劑熱反應(yīng)制得了單分散ITO粉體

3、，研究了溶劑熱反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間對(duì) ITO納米晶體結(jié)構(gòu)和形貌的影響。結(jié)果表明，溶劑熱溫度對(duì)ITO晶體的產(chǎn)率有一定影響，而溶劑熱時(shí)間對(duì)晶粒尺寸有一定影響。以溶劑熱法制備的ITO納米粉體為基礎(chǔ)制備了ITO復(fù)合光纖，發(fā)現(xiàn)250℃溶劑熱溫度下制備的ITO顆粒膜的電阻率最低，為0.8Ω·cm，透光率達(dá)到93.1%；
　　最后，通過(guò)對(duì)溶膠凝膠工藝進(jìn)行改進(jìn)，可以使ITO膜的電阻率達(dá)到2.7*10-3Ω·cm。對(duì)液相法制備的ITO復(fù)合光纖進(jìn)行綜合