2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、南開(kāi)大學(xué)碩士學(xué)位論文InGaAsGaAs應(yīng)變量子阱固態(tài)源分子束外延生長(zhǎng)的研究姓名：康培申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：舒永春201105AbstractAbstractTheOPS—VECSEL(OpticallyPumpedSemiconductorVerticalExternalCavitySurfaceEmissionLaser)isanovelsemiconductorlaserandcanbeappliedinma

2、nyfieldspotentiallyThegrowthofInGaAs／GaAsstrainedquantumwellsasactiveregionofOPSVECSELusingsolidsourcemolecularbeamepitaxywerestudidedinthispaperThemaindevelopmentsandresultsaresummarizedasfollows：1Theinfluenceonusingdif

3、ferentInatomssourogfurnacetogrowInGaAs／GaAsstrainedquantumwellswassmdiedTheanalyzedresultsindicatethatusingtheMuscletypeInatomssourcefurnacetogrowchipcanimprovethequalityofthechip2AVECSELchipwithwavelengthof1064n／nwasgro

4、wnbyMBEResultsofSEM、photoluminescence(PL)andreflectivityofthechipshowtheaccuracyofgrowthTheexperimentalresultsindicate：theoptimizedgrowthconditionarepropitioustosignificantlyimprovetheopticalperformanceofthechipTheoretic

5、alanalysisshowsagoodagre圯rnentwimtheexperimentalresult3GrowthinterruptionWasusedattheinterfacebetweentheInGaAswelllayerandGaAsbarrierlayertoallowtimeforthesubstratetemperaturetobechangedThiswillavoidthethermallagassooate

6、dwimattemptingtochangethesubstratetemperatureasgrowthproceedsGrowthinterruptionWasusedforimprovingthequalityoftheinterfaceCharacterizationofthelayerstructurebyphotoluminescence，showedthenecessityforagrowthinterruption18s

7、ThefunctionofIninterruptionwasanalyzedbycomparingthePLspectraoffoursamplesResultsofphotoluminescenceofthe980nmVECSELchipsshowedthatthechipwimIninterruptioncouldobtainthenarrowerPLspectrumpeakcomparingtotheonewithomIninte

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