聚吡咯薄膜的電化學(xué)制備及器件初探.pdf

1、有機(jī)聚合物光電材料以其諸多優(yōu)點(diǎn),以及在各種光電子器件中的運(yùn)用,引起了光電學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注,成為正在崛起的新一代光電信息材料。導(dǎo)電高分子材料聚吡咯有著廣泛的應(yīng)用前景,并有望應(yīng)用于太陽(yáng)能電池器件。
　　 本論文研究主要包括以下2個(gè)方面:
　　 1.在ITO電極表面制備導(dǎo)電聚吡咯薄膜的探索。
　　 聚吡咯不溶不熔,不能使用旋涂的方法制備薄膜,而電化學(xué)法是一種制備聚吡咯的常用方法。一般的電化學(xué)法制備導(dǎo)電聚合物都以金屬為工

2、作電極,因?yàn)榻饘賹?dǎo)電性好,反應(yīng)容易實(shí)現(xiàn)。而在有機(jī)薄膜器件的制備當(dāng)中,一般都以ITO導(dǎo)電玻璃作陽(yáng)極,如果用ITO做工作電極,并利用電化學(xué)的方法使聚吡咯的合成和在ITO上形成薄膜一步完成,便有望使聚吡咯應(yīng)用于器件的制作當(dāng)中。本章主要工作是為了器件制作,探索更換電極利用電化學(xué)的方法制備聚吡咯薄膜的可行性。
　　 實(shí)驗(yàn)中在ITO表面得到了薄膜,這為以后器件的制作奠定了基礎(chǔ)。薄膜的不均勻性,會(huì)對(duì)器件的制作造成一定的影響,實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)反應(yīng)中所

3、加電壓較小,薄膜厚度較薄時(shí),薄膜較均勻。為了更好的制備出適合器件制備的厚度合適的薄膜,對(duì)薄膜厚度的影響因素進(jìn)行了探索,得到了薄膜厚度與反應(yīng)時(shí)間的關(guān)系。所制備的聚吡咯材料通過(guò)了紅外光譜和紫外-可見(jiàn)光吸收的表征。通過(guò)對(duì)薄膜進(jìn)行紅外光譜測(cè)試,得到了在ITO導(dǎo)電玻璃上制備的聚吡咯薄膜的內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)信息,通過(guò)對(duì)薄膜進(jìn)行紫外-可見(jiàn)吸收光譜測(cè)試,得到了薄膜對(duì)紫外-可見(jiàn)光的吸收性能。
　　 2.聚吡咯薄膜的電學(xué)特性及其光電子器件。