納米砷化鎵(GaAs)薄膜的電化學制備與研究.pdf

1、聲明尸叫本人鄭重聲明：所呈交的學位論文，是本人在指導教師的指導下，獨立進行研究所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的科研成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本聲明的法律責任由本人承擔。論文作者簽名：型叢B飄j2ot2671關于學位論文使用權的說明本人完全了解太原理工大學有關保管、使用學位論文的規(guī)定，其中包括：①學校有權保管、并向有關部門送交學位論文的原件與

2、復印件；②學?？梢圆捎糜坝　⒖s印或其它子復制手段復制并保存學位論文；③學?？稍试S學位論文被查閱或借閱；④學校可以學術交流為目的，復制贈送和交換學位論文；⑤學?？梢怨紝W位論文的全部或部分內(nèi)容(保密學位論文在解密后遵守此規(guī)定)。作者簽名：童l矗迫日期：主!!蘭：i：Z導師簽名：立：!!：：——日期：2里!三：!：2太原理工大學碩士研究生學位論文納米砷化鎵(GaAs)薄膜的電化學制備與研究摘要砷化鎵(GaAs)是一種重要的III—V族直接帶

3、隙化合物半導體光電材料，在室溫下(300K)其禁帶寬度&=142eV，具有很高的電子遷移率、半導體特性以及光電特性，是目前發(fā)展大功率電子器件的最重要也是最基本的材料之一，深受國內(nèi)外關注。廣泛應用于微波和高速器件，光伏領域以及衛(wèi)星數(shù)據(jù)傳輸、通信、軍事等領域。工業(yè)上制備GaAs材料的方法有很多，電化學沉積法在近年來屢有報道，一般分為采用不同的電沉積二F段(主要有恒壓電沉積法，恒流電沉積法，脈沖電流沉積法，脈沖電壓沉積法等)，以及提高陰極極化

4、(主要包括不同的前驅液配比濃度及pH值，不同的基底材料，以及不同的絡合劑對實驗的影響)兩種途徑進行實驗。本文中實驗采用恒電壓沉積法，以及脈沖電流沉積法，以金屬Ga與As203為原料，在酸性前驅液中制備納米級GaAs薄膜材料，并對其形貌、化學計量比以及光學特性進行了系統(tǒng)分析。主要結果如下：(1)采用電化學恒壓法，通過不同的表征手段，分析了GaAs薄膜的電化學合成原理，并且考察了在室溫下電化學恒壓合成GaAs薄膜實驗中Ga與As的化學計量比