版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、人們對(duì)半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)已經(jīng)進(jìn)行了長(zhǎng)期的研究和探索。一個(gè)量子點(diǎn)系統(tǒng)并不是孤立于環(huán)境而存在的。也就是說(shuō),在考慮發(fā)生在量子點(diǎn)中的各種變化或者過(guò)程的同時(shí),必須要考慮到環(huán)境的影響,本文的目的就是討論在量子點(diǎn)的光吸收過(guò)程中,環(huán)境(聲子熱庫(kù))對(duì)吸收譜的影響。 目前的研究工作大多是采用數(shù)值方法模擬量子點(diǎn)的性質(zhì),不夠直觀,而且適用性不強(qiáng)。數(shù)值方法在系統(tǒng)參量值很小的情況將難以模擬,在臨界點(diǎn)附近甚至可能失效。為此,我們采用基于幺正變換的微擾理論
2、來(lái)研究量子點(diǎn)的光吸收過(guò)程,以期得到量子點(diǎn)光吸收譜的解析表達(dá)結(jié)果。 對(duì)于半導(dǎo)體量子點(diǎn)系統(tǒng),在發(fā)生光吸收的過(guò)程中,價(jià)帶的電子需要吸收光子的能量才能到達(dá)導(dǎo)帶,同時(shí),電子在激發(fā)躍遷的過(guò)程中,又會(huì)受到影響。所以,這個(gè)系統(tǒng)可以用一個(gè)與聲子庫(kù)耦合的兩能級(jí)系統(tǒng)模型來(lái)描述。 本文采用格林函數(shù)微擾理論,以幺正變換為基礎(chǔ),通過(guò)求解海森堡運(yùn)動(dòng)方程的方法研究了半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光吸收性質(zhì)。首先,對(duì)所要研究的系統(tǒng)的哈密頓量 作幺正變換,將變換之后的哈密
3、頓量 可拆分成三部分:H_0′、H_1′和H_2′。作此變換后的好處是:可以使變換后的H_1′和H_2′足夠小,將H_2′視為微擾項(xiàng)。這樣就可以用微擾法來(lái)進(jìn)行計(jì)算,而且微擾的近似程度比較好。其次,利用求解格林函數(shù)運(yùn)動(dòng)方程組得到平衡態(tài)關(guān)聯(lián)函數(shù),后者與光吸收有很大的關(guān)系。最后,通過(guò)傅立葉變換推導(dǎo)出電導(dǎo)率的解析表達(dá)式,根據(jù)這個(gè)表達(dá)式我們對(duì)所描繪的光吸收譜進(jìn)行了分析,得到了如下的結(jié)論:我們的結(jié)果明確地顯示了光吸收譜的圖形以及不同情況下波峰的位置
4、。光吸收的峰值位置會(huì)隨著耦合強(qiáng)度的增加而向低光子頻率的方向偏移,而且峰值位置并不是直接對(duì)應(yīng)于量子點(diǎn)中的基態(tài)和最低激發(fā)態(tài)之間的能量差。 本文重點(diǎn)討論聲子庫(kù)耦合對(duì)半導(dǎo)體量子點(diǎn)光吸收的影響,結(jié)合聲子庫(kù)對(duì)量子點(diǎn)中電子能級(jí)結(jié)構(gòu)的重組作用,研究在低溫和弱耦合條件下半導(dǎo)體量子點(diǎn)的吸收譜變化規(guī)律。譜密度采用的是歐姆譜分布。 本文所研究的范圍是兩個(gè)最低能級(jí)之前的電子躍遷,忽略了激發(fā)態(tài)的躍遷對(duì)吸收譜的影響。在以后的研究中,在運(yùn)算能力允許的條
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 半導(dǎo)體量子阱的光吸收研究.pdf
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體量子點(diǎn)中激子的光吸收研究.pdf
- 半導(dǎo)體膠體量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)與雙光子吸收的研究.pdf
- 納米微腔半導(dǎo)體量子點(diǎn)的量子動(dòng)力學(xué).pdf
- 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的合成、光量子效應(yīng)和表面修飾.pdf
- 25241.基于半導(dǎo)體量子點(diǎn)的電荷量子比特和量子輸運(yùn)
- 半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光譜和光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 14674.半導(dǎo)體量子點(diǎn)的合成及性質(zhì)研究
- 半導(dǎo)體量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的光學(xué)及輸運(yùn)特性研究.pdf
- 基于半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光電轉(zhuǎn)換應(yīng)用研究.pdf
- 25242.半導(dǎo)體量子點(diǎn)系統(tǒng)的理論與模擬
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體量子點(diǎn)的發(fā)光特性.pdf
- Ⅱ-Ⅵ族手性半導(dǎo)體量子點(diǎn)的合成和性質(zhì)研究.pdf
- 半導(dǎo)體量子點(diǎn)類流體的制備與特性研究.pdf
- 多元半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備及熒光性質(zhì)研究.pdf
- 半導(dǎo)體超薄膜的光吸收特性研究.pdf
- Ge-Si半導(dǎo)體量子點(diǎn)應(yīng)力應(yīng)變分布研究.pdf
- 漸逝波耦合式半導(dǎo)體量子點(diǎn)放大光纖的研究.pdf
- 基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收譜技術(shù)的甲烷濃度檢測(cè).pdf
- 半導(dǎo)體量子點(diǎn)系統(tǒng)中應(yīng)變調(diào)制的自組裝.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論