0.5μm100vldmos高壓器件的研制_第1頁(yè)
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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文0.5μm100VLDMOS高壓器件的研制姓名：許堅(jiān)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：軟件工程（IC）指導(dǎo)教師：陸生禮謝正中20080323AbstractAbstractTherapiddevelopmentofIntegrateCircuittheappliedfieldofPOWERICexpandscontinuallyHVIChasbeenapplytoswitchpowerelectricalengineering

2、industrialcontrol，automobileelectrical，dailylightinghomewiringandSOonThePowerMOSFEThavebeenusedinmanyareasasitsrapidswitchandsteadysafetyworkareasItstypicaldeputyisLDMOS(LateralDoublediffusedMOSFET)BulksiliconLDMOSdevice

3、hasbeenwidelyusedtoHVorHVcompatiblewithLVPowerIntegrateCircuitasitsgooddrivecurrenthighworkvoltage，easyprocessandlowcostInthispapera100VbulksiliconLDMOSdevice，whichc鋤becompatiblewithCMOSprocess，isdiscussedindetailbyusing

4、semiconductorsimulationsoftwareTsuprem4andMediciSomestructuralparametersuchasdriftregionchannel，fieldplate，RESURFelectricfieldhavebeendiscussedinthispaperThenthebestdeviceparametercanbeattainedFinallythe05I_tm100Vcompati

5、blewithCDMOSprocesshasbeenresearchedindepthlyThenewprocesswhichapplytotheLDMOSdevicehasbeendesignedandthenachievedlOOVLDMOSTestkeylayoutThroughthetestthedatacallprovethedeviceachieveanticipativetargetitcanbeobservedfromt

6、hetestthatbothoftheoffstateandonstatebreakdownvoltageofthegivenNLDMOSdeviceexceed100VThethresholdvoltage(㈨，on—statecurrent(IJc鋤reach15v45xl0“SA／pmrespectivelyThepresentedLDMOShaveagoodfuturetobeappliedinthehighvoltagePOW

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