封裝設(shè)備底座的砂鑄工藝改進和質(zhì)量控制.pdf

1、本文以半導體設(shè)備底座主要工藝方案和工藝參數(shù)為研究手段，以提高半導體設(shè)備底座質(zhì)量、降低產(chǎn)品報廢率為研究目標，在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上，通過實驗研究確定了冒口、冷鐵等關(guān)鍵工藝，優(yōu)化了鑄造工藝，保證半導體設(shè)備底座質(zhì)量滿足標準要求；設(shè)計了復雜半導體設(shè)備底座的鑄造工藝規(guī)范。通過上述工藝研究，辦證產(chǎn)品質(zhì)量，各項指標達到客戶要求。主要系統(tǒng)地分析了砂鑄工藝中常見的技術(shù)與質(zhì)量問題，并對其產(chǎn)生問題的原因提出了相應(yīng)的解決方法并加以實現(xiàn)。
　　 本文的研究和

2、分析主要從以下幾個方面進行：
　　 （1）砂鑄的形成與結(jié)構(gòu)：首先從金屬沖型與影響因素的關(guān)系，以鑄件的溫度場及金屬凝固的不同方式，合金的收縮及影響因素，展開鑄造工藝的分析。
　　 （2）闡述了砂鑄工藝流程，通過實際工藝步驟和特點，分析了缺陷的成型機理和產(chǎn)生過程。特別針對主要常見的缺陷縮孔和松孔，夾渣等缺陷的形成過程和預(yù)防措施詳細的分析和討論。
　　 （3）進一步詳細地研究半導體設(shè)備底座的砂鑄鑄造工藝，用過程控制統(tǒng)計