應(yīng)用于智能卡的高精度CMOS溫度傳感器設(shè)計(jì)與研究.pdf

1、智能卡已廣泛進(jìn)入人們的日常生活，因此對(duì)其芯片內(nèi)部溫度和外部環(huán)境溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控和保護(hù)，是智能卡芯片安全功能中一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)。CMOS溫度傳感器具有低成本、低功耗和便于片上集成的優(yōu)勢(shì)，成為當(dāng)前溫度傳感器的主流。
　　論文概述了集成溫度傳感器的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)，介紹了基于 CMOS工藝的雙極型晶體管的基本特性和工藝實(shí)現(xiàn)方式，并分析了限制 CMOS溫度傳感器精度的相關(guān)非理想因素，采用了斬波技術(shù)來(lái)消除運(yùn)放輸入失調(diào)來(lái)獲得高精度的帶隙基準(zhǔn)源

2、和 PTAT電壓，并通過(guò)單端遲滯比較器進(jìn)行數(shù)字輸出，實(shí)現(xiàn)了一款高精度的CMOS溫度傳感器。
　　論文電路采用了SMIC0.18μm EEPROM2P6M工藝實(shí)現(xiàn)，并進(jìn)行了版圖設(shè)計(jì)和流片。電源電壓為1.8V，芯片的有效面積為0.3×0.2mm2。流片測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證了斬波技術(shù)消除運(yùn)放直流輸入失調(diào)的有效性。在-40℃~120℃范圍內(nèi)，帶隙基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)在32ppm/℃以內(nèi)，功耗小于0.18mW。在進(jìn)行片內(nèi)校準(zhǔn)后，芯片的高低溫報(bào)警精度達(dá)到