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文檔簡介
1、隨著射頻識別(Radio Frequency Identification,RFID)技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)(Internetof Things,IOT)的不斷發(fā)展,在RFID標(biāo)簽芯片中嵌入傳感器是RFID技術(shù)發(fā)展的一大主流趨勢。溫度是最重要的自然信息之一,且CMOS溫度傳感器具有低成本的特點。因此,在RFID標(biāo)簽芯片中集成CMOS溫度傳感器具有非常廣闊的應(yīng)用前景。
本文采用UMC0.18μm EEPROM2P6M工藝設(shè)計了一種應(yīng)用于R
2、FID標(biāo)簽芯片的CMOS溫度傳感器,該CMOS溫度傳感器由感溫電路、電壓緩沖器和電荷再分配逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換(charge redistribution successive approximation analog-to-digital Converter,CR-SAR ADC)構(gòu)成。感溫電路利用寄生縱向PNP雙極型晶體管感知溫度,產(chǎn)生一個與絕對溫度成正比的(PTAT)電壓信號和一個三階溫度補償?shù)膸痘鶞?zhǔn)電壓信號。電壓緩沖器由帶推挽輸出
3、級的運算放大器構(gòu)成,用于驅(qū)動CR-SAR ADC。本文提出了一種應(yīng)用于CMOS溫度傳感器的新型低功耗CR-SAR ADC,該CR-SAR ADC采用了單調(diào)的開關(guān)切換策略,同時,在不降低動態(tài)范圍的前提下,其參考電壓只為傳統(tǒng)型CR-SAR ADC的一半,極大的減小了CR-SAR ADC的動態(tài)功耗。本文利用Matlab對提出的CR-SAR ADC進(jìn)行了建模,對CR-SAR ADC中DAC的電容匹配性和動態(tài)功耗進(jìn)行了分析。
本文利用C
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