55nm CMOS金屬硬質(zhì)掩模銅互連技術(shù)中濕法清洗工藝的開(kāi)發(fā)與改進(jìn).pdf

1、本文主要研究了55nm CMOS金屬硬質(zhì)掩模銅互連技術(shù)中濕法清洗工藝。在55nm工藝平臺(tái)中，評(píng)估了三種清洗藥液，第一種是胺基為基礎(chǔ)的有機(jī)溶劑，第二種是半有機(jī)半水基的清洗藥液，第三種是稀釋的氫氟酸。通過(guò)刻蝕速率、缺陷、電學(xué)性能、許容時(shí)間等方面表現(xiàn)的比較，第一種胺基有機(jī)溶劑表現(xiàn)最優(yōu)。并通過(guò)藥液交換是設(shè)定的優(yōu)化，使得60nm以下顆粒表現(xiàn)達(dá)到最優(yōu)，工藝開(kāi)發(fā)完成。
　　在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)了銅腐蝕、球形缺陷、有機(jī)殘留缺陷等問(wèn)題。通過(guò)研究，

2、找到了缺陷發(fā)生的原因。銅腐蝕是由于光引起的電流，在清洗過(guò)程中發(fā)生電化學(xué)腐蝕，通過(guò)保持黑暗的腔體環(huán)境能杜絕銅腐蝕問(wèn)題。球形缺陷主要是設(shè)備潔凈度以及藥液潔凈度不佳引起的，而從硅片中心聚集的特征入手，調(diào)整工藝程式噴藥液的起始位置，能有效降低球形缺陷。通過(guò)增加水洗時(shí)間可以有效減少有機(jī)殘留缺陷，同時(shí)不會(huì)引起額外的銅損失。通過(guò)這些改善，使得清洗工藝更加成熟、完善，缺陷降低，良率提升。
　　同時(shí)也對(duì)金屬硬質(zhì)掩模銅互連中的清洗工藝的發(fā)展趨勢(shì)做了一