基于smic 55nm eflash工藝應(yīng)用于sim卡的ESD研究.pdf

1、SIM卡[1]是（Subscriber Identity Module客戶識別模塊）的縮寫，也稱為智能卡、用戶身份識別卡,主要應(yīng)用于手機通訊，身份識別，金融等領(lǐng)域。據(jù)統(tǒng)計，僅2013年全球SIM卡的采購量就高達50億張之多。因此，SIM卡不僅應(yīng)用廣泛，而且關(guān)系國計民生。
　　SIM卡的接口作為芯片和終端接觸并輸入或輸出數(shù)據(jù)的模塊，會受到靜電的損害，靜電釋放[2](ESD，Electro-Static discharge)往往是造成

2、芯片永久性失效的元兇。自然界中，芯片受到的靜電主要來自于人體攜帶的靜電，通過和芯片接觸，從而損傷芯片，以及芯片與金屬接觸，金屬上攜帶的靜電損害芯片。因為智能卡有時候經(jīng)常被人體接觸，所以它受到靜電損害的風(fēng)險就更高，從而對芯片耐受靜電測試的標(biāo)準(zhǔn)也更高。另一方面，隨著芯片尺寸被要求越來越?。ㄓ欣诮档统杀竞蛿y帶方便），芯片上留給接口部分用來保護芯片免受靜電侵害的尺寸也越來越小，而根據(jù)理論，相同結(jié)構(gòu)的ESD保護模塊，面積越小，耐受靜電的能力也越

3、低。但是 SIM卡測試標(biāo)準(zhǔn)對 ESD能力的要求并未降低，所以就要求我們對SIM卡的ESD結(jié)構(gòu)進行研究與創(chuàng)新。
　　本文從ESD常用的結(jié)構(gòu)出發(fā)，提出若干改進方案（比如對常用的ESD結(jié)構(gòu)中有用柵端接地的N型MOS管的，我們提出在在柵端接一個小電阻再接觸到地，試圖降低NMOS管第一次觸發(fā)的電壓等），然后經(jīng)過電路設(shè)計，版圖繪制，流片生產(chǎn)以及芯片測試等環(huán)節(jié)，驗證我們的方案是否有改進的效果。
　　通過對比試驗，我們得出了有效的SIM卡的