熱絲化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜的研究.pdf

1、多晶硅薄膜在薄膜太陽電池和薄膜晶體管等大面積電子學(xué)方面具有明確的應(yīng)用前景。由于具有高速沉積、氣體利用率高和易晶化等特點(diǎn)，采用HWCVD技術(shù)制備大面積、優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜是當(dāng)今研究熱點(diǎn)之一。 本論文主要內(nèi)容是熱絲化學(xué)氣相沉積制備多晶硅薄膜工藝的研究及利用鋁誘導(dǎo)固相晶化法增大晶粒尺寸的研究。 采用自行加工設(shè)計(jì)的HWCVD系統(tǒng)制備多晶硅薄膜，系統(tǒng)研究了不同沉積參數(shù)(沉積氣壓、襯底溫度、襯底與熱絲間距離、襯底種類)對多晶硅薄膜晶態(tài)比

2、、晶面擇優(yōu)取向、晶粒尺寸的影響。得出優(yōu)化條件：沉積氣壓42Pa，襯底溫度250℃，襯底與熱絲間距離48mm，在玻璃襯底上制備出晶態(tài)比Xc＞90﹪，擇優(yōu)取向?yàn)?111)，橫向晶粒尺寸為200-500nm，縱向晶粒尺寸為30nm左右的優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜。 將反應(yīng)氣體中混入一定比例氬氣，研究不同氬氣含量對薄膜性質(zhì)的影響。一般采用SiH4+H2為氣源時(shí)，將壓強(qiáng)控制在2Pa以下才可以制備非晶硅薄膜，而氣源中摻入氬氣后，在較高的氣壓下(42Pa