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文檔簡介
1、納米GaP材料同常規(guī)GaP材料相比,在物理和化學性質(zhì)上有著較大差異,使得納米GaP材料在納米光學器件、納米微電子器件等方面有著潛在的應(yīng)用價值。本文采用苯熱法合成納米GaP粉體,對納米GaP粉體的光學性質(zhì)進行了研究,并制備了納米GaP/聚乙烯吡咯烷酮復(fù)合薄膜。 通過測試納米GaP粉體的紫外—可見光吸收光譜和熒光光譜,對其直接帶隙、間接帶隙及El能級進行了分析;熒光光譜測試清晰地表明軌道—自旋耦合分裂效應(yīng)導(dǎo)致納米GaP粉體的價帶分裂
2、。光散射為常規(guī)材料所沒有的現(xiàn)象,本文運用三流理論對納米GaP粉體的吸收系數(shù)(Ea)和散射系數(shù)(Es)進行了分析,計算了Ea/Es。 利用表面增強拉曼光譜,研究了堿性品紅在納米GaP粉體表面上的吸附取向;在表面增強拉曼光譜中出現(xiàn)了P-O-C+鍵或Ga-O-C+鍵振動模式。 采用三種不同類型的分散劑對納米磷化鎵(GaP)粉體進行分散,并用抽濾后測量吸光度的方法來比較分散效果,研究了納米GaP粉體在水中的分散性。并在此基礎(chǔ)上制
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