氫氧化鑭納米線(xiàn)修飾碳糊電極在電分析化學(xué)中的應(yīng)用.pdf

1、本文將氫氧化鑭納米線(xiàn)修飾到碳糊電極得到的氫氧化鑭納米線(xiàn)修飾碳糊電極可將氫氧化鑭納米線(xiàn)特殊的催化性、功能性與碳糊電極價(jià)格便宜、電位使用范圍寬、表面易于更新、無(wú)毒等優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來(lái)。將該修飾電極用于藥物和生物分子的測(cè)定，可以顯著降低反應(yīng)物的氧化電位，提高選擇性和靈敏度。具體研究結(jié)果分述如下： 第一章氫氧化鑭納米線(xiàn)修飾碳糊電極(LNW/CPE)測(cè)定甲滅酸的研究在0.1 mol L<'-1>磷酸緩沖溶液中(pH=5.8)，甲滅酸在LNW/C

2、PE上有一個(gè)靈敏的氧化峰，氧化峰電位為0.87 V,甲滅酸在LNW/CPE上峰電位比它在CPE上的峰電位負(fù)移30mV，并且氧化峰電流顯著增大。這表明INW對(duì)甲滅酸的電化學(xué)氧化有良好的電催化特性。在此基礎(chǔ)上建立了一種簡(jiǎn)便的、靈敏的直接測(cè)定甲滅酸的電化學(xué)方法。線(xiàn)性范圍為2×10<'-11>～4×10-<'-9>mol·L<'-1>；檢測(cè)限為6x10<'-12>mol·L,'-1>。 第二章氫氧化鑭納米線(xiàn)對(duì)多貝斯伏安響應(yīng)增強(qiáng)作用的研究

3、在0.1mol·L<'-1>的HAc-NaAc(pH=3.8)緩沖溶液中，多貝斯(CD)在LNW/CPE上有一對(duì)氧化還原峰，其氧化峰電位0.58 V，還原峰電位為0.02 V。與其在碳糊電極上的伏安行為相比，CD在LNW/CPE上的氧化峰電位比它在CPE上的氧化峰電位負(fù)移300 mV，還原峰電位比它在CPE上的還原峰電位正移230 mV，同時(shí)CD在LNW/CPE上的氧化還原峰電流也比它在CPE上的氧化峰電流增加了5倍。正是由于LNW的雙

4、功能性使得CD的伏安響應(yīng)顯著增強(qiáng)。在此基礎(chǔ)上所建立的CD的測(cè)定方法與其它方法相比，具有較高的選擇性和靈敏度，可用于藥物中CD的測(cè)定。 第三章基于葡萄糖-銅配合物中銅還原的葡萄糖的伏安測(cè)定在0.1 mol·L<'-1>NH<,3>·H<,2>O-NH<,4>Cl(pH 9.8)介質(zhì)中，當(dāng)葡萄糖(GO)加入到含有Cu(ID的緩沖溶液中，Cu(Ⅱ)的還原峰電流增大了五倍，峰電位負(fù)移50mV，同時(shí)Cu(0)的氧化峰電流增大了一倍，峰電位

5、正移30 mV。峰電位的微小移動(dòng)可能歸因于氨性介質(zhì)中Cu(Ⅱ)-GO配合物的形成。而LNW/CPE上峰電流的顯著增大可能由兩個(gè)原因造成。一是由于LNW的引入使LNW/CPE的電極有效面積增大。另一個(gè)原因是INW中的La(Ⅲ)與GO的配位反應(yīng)。利用Cu(Ⅱ)-GO配合物在LNW/CPE修飾電極上還原峰電流的增量可以建立一種測(cè)定GO濃度的新方法。 第四章一種測(cè)定肌苷的新穎電化學(xué)體系及其應(yīng)用在0.1 mol·L<'-1>PBS(pH

6、6.7)介質(zhì)中，當(dāng)肌苷加入到含有Cu(Ⅱ)的緩沖溶液中，Cu(Ⅱ)/Cu(0)電對(duì)的氧化峰減小而還原峰完全消失，同時(shí)，在-0.2 V出現(xiàn)一個(gè)新還原峰，在0.2 V出現(xiàn)一個(gè)新的氧化峰。這對(duì)新的氧化還原峰的出現(xiàn)可能歸因于肌苷分子與Cu(Ⅱ)發(fā)生配位形成Cu(Ⅱ)-肌苷配合物。利用Cu(Ⅱ)-肌苷配合物在修飾電極上靈敏的氧化峰，建立了一種測(cè)定肌苷濃度的新方法。該方法有較高的選擇性和靈敏度可用于藥物和血清中肌苷濃度的測(cè)定。 第五章氫氧化

7、鑭納米線(xiàn)修飾碳糊電極對(duì)尿嘧啶及其衍生物的高靈敏度伏安測(cè)定在0.1mol·L<'-1>PBS(pH 6.4)介質(zhì)中，當(dāng)尿嘧啶(UR)加入到含有Cu(Ⅱ)的緩沖溶液中，Cu(Ⅱ)/Cu(0)電對(duì)的氧化峰減小而還原峰完全消失，同時(shí)，在-0.18 V出現(xiàn)一個(gè)新還原峰，在0.22 V出現(xiàn)一個(gè)新的氧化峰。新的氧化還原峰的出現(xiàn)可能歸因于UR分子與Cu(Ⅱ)形成配合物。利用Cu(Ⅱ)-UR配合物在LNW/CPE上靈敏的氧化峰，提出了一種靈敏的電化學(xué)測(cè)定