極化子效應(yīng)對(duì)極性晶體界面和極性晶體膜中強(qiáng)耦合激子的影響.pdf

1、本文在Huybrcchts關(guān)于強(qiáng)耦合極化子的模型基礎(chǔ)上，采用LLP變分法分別研究了極性晶體界面和極性晶體膜中激子與IO(SO)聲子強(qiáng)耦合、與LO聲子弱耦合體系的性質(zhì)。首先討論了極性晶體界面激子的自陷能和誘生勢(shì)與激子坐標(biāo)及電子一空穴間距離的變化關(guān)系，其次討論了極性晶體膜中激子的誘生勢(shì)與膜厚度和溫度的變化關(guān)系。 在對(duì)極性晶體界面激子的研究中，同時(shí)考慮了激子與LO及IO聲子的相互作用。結(jié)果表明：輕空穴激子與LO聲子相互作用形成的自陷能

2、隨激子坐標(biāo)的增大而增大，最后趨于一定值。激子與IO聲子相互作用形成的自陷能隨激子坐標(biāo)的減小而增大，隨電子一空穴間距離的增大而增大。當(dāng)激子坐標(biāo)和電子一空穴間距離一定時(shí)，輕空穴激子的自陷能大于重空穴激子的自陷能。激子與LO聲子相互作用形成的誘生勢(shì)隨電子一空穴間距離的增大而減小，隨激子坐標(biāo)的增大而增大。當(dāng)激子坐標(biāo)和電子一空穴間距離一定時(shí)，重空穴激子的誘生勢(shì)大于輕空穴激子的誘生勢(shì)。激子與IO聲子相互作用形成的誘生勢(shì)隨電子一空穴間距離的減小而增大

3、，隨激子坐標(biāo)的增大而減小。在同樣情況下，輕空穴激子的誘生勢(shì)大于重空穴激子的誘生勢(shì)。 在對(duì)極性晶體膜中激子的研究中，同時(shí)考慮了激子與LO及SO聲子的相互作用，結(jié)果表明：當(dāng)溫度一定時(shí)，激子與LO聲子相互作用形成的誘生勢(shì)隨電子一空穴間距離的增大而減小，隨膜厚度的增大而增大；當(dāng)膜厚度一定時(shí)，誘生勢(shì)隨電子一空穴間距離的減小而增大，隨溫度的升高而減小。當(dāng)溫度一定時(shí)，激子與SO聲子相互作用形成的誘生勢(shì)隨電子一空穴間距離的增大而減小，隨膜厚度的