晶體結(jié)構(gòu)和界面修飾對(duì)TiO2薄膜電致電阻效應(yīng)的影響.pdf

1、隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步和信息化的發(fā)展，人們對(duì)于信息的存儲(chǔ)功能有著更高的要求，如較高的集成度等?；陔娒}沖誘導(dǎo)的電阻可逆轉(zhuǎn)變效應(yīng)（EPIR效應(yīng)）而產(chǎn)生的電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備(RESISTIVERANDOMACCESSMEMORY)由于其各項(xiàng)優(yōu)越的特性和其與CMOS工藝良好的兼容性，受到了廣大科研工作者的青睞，這使其成為了下一代非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的最優(yōu)可能的選擇。現(xiàn)其已經(jīng)成為了各個(gè)學(xué)科，如物理學(xué)，材料科學(xué)以及電子信息等學(xué)科的交叉研究的熱點(diǎn)問(wèn)題。

2、r>　　 本文通過(guò)對(duì)不同結(jié)構(gòu)和兩種界面修飾方法對(duì)AG/T(I)O2/PT異質(zhì)結(jié)進(jìn)行了研究，其主要結(jié)果如下:
　　 1.研究不同結(jié)構(gòu)絕緣層對(duì)阻變性能的影響。本文中實(shí)驗(yàn)通過(guò)兩種方法制備得到了四種不同相結(jié)構(gòu)的T(I)O2薄膜，其中包括:無(wú)定形、銳鈦礦、金紅石和混合相四種結(jié)構(gòu)。通過(guò)對(duì)四種AG/T(I)O2/PT樣品進(jìn)行測(cè)試和分析，發(fā)現(xiàn)其阻變機(jī)制符合文獻(xiàn)中報(bào)道的細(xì)絲模型。四種不同結(jié)構(gòu)的樣品均能夠表現(xiàn)出阻變特性，均具有一定的保持性能和疲勞

3、性能，其中銳鈦礦樣品具有相對(duì)較好的各項(xiàng)性能，其保持性能夠達(dá)到12K以上，疲勞性能也較為穩(wěn)定。
　　 2.研究PT/T(I)O2界面間AU納米點(diǎn)植入對(duì)器件性能的影響。我們通過(guò)在器件底電極和薄膜間植入不同大小的AU納米顆粒集中了器件內(nèi)部的局域電場(chǎng)，克服了器件頂電極和底電極間傳導(dǎo)細(xì)絲形成的不穩(wěn)定性，相較于未經(jīng)過(guò)界面修飾的器件，其保持性和疲勞性均得到了提高，有利于器件的實(shí)際應(yīng)用。我們還通過(guò)濺射不同時(shí)間控制納米顆粒大小研究了不同大小納米顆