正電子湮沒壽命譜數(shù)據(jù)處理方法研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、正電子湮沒壽命譜是無損探測(cè)材料中納米缺陷的有效手段,本工作基于遺傳算法(GA)的全局搜索性及隨機(jī)產(chǎn)生初值的特點(diǎn),采用MATLAB語言編程對(duì)正電子湮沒理論壽命譜進(jìn)行了多指數(shù)函數(shù)擬合,得到了各組分壽命及相對(duì)強(qiáng)度。與基于最小二乘法的LifeTime9.0軟件的解譜結(jié)果比較,表明用遺傳算法求解壽命譜,具有不用賦經(jīng)驗(yàn)性初值而又不會(huì)陷入局部最優(yōu)的優(yōu)點(diǎn)。
   隨著聚束和斬波技術(shù)的發(fā)展,利用慢正電子束技術(shù)具有能量單色性及連續(xù)可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)搭建的脈

2、沖壽命譜,由于正電子散射等原因的影響,壽命譜通常存在一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星峰,對(duì)于具有較長壽命的樣品,衛(wèi)星峰會(huì)出現(xiàn)在壽命成份中,會(huì)對(duì)分析樣品的信息帶來很大的影響。目前對(duì)慢正電子湮沒壽命譜存在衛(wèi)星峰問題的解決,國際上還沒有提出較為合理的處理方法。為了去掉慢正電子湮沒壽命譜的衛(wèi)星峰,首先我們認(rèn)為衛(wèi)星峰的產(chǎn)生主要是背散射正電子束團(tuán)返回樣品湮沒造成的,據(jù)此提出多時(shí)間分辨函數(shù)延遲數(shù)據(jù)校正方法,采用理論計(jì)算消除衛(wèi)星峰。工作基于MATLAB編程軟件,利用MA

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