光摻雜和稀土替代YBCO的正電子譜研究.pdf

1、我們用固態(tài)反應法合成了不同淬火溫度的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)系列樣品，以及稀土元素替代的RBa2Cu3O7-δ(RBCO)系列樣品；利用X射線衍射(XRD)和掃描電鏡(SEM)對系列樣品的結構和表面形貌進行了分析，結果顯示樣品有良好的品質；并利用正電子湮沒、“光摻雜”等實驗手段，對樣品進行了系統的研究。 對不同淬火溫度的YBCO樣品，測量了光輻照前后的正電子湮沒譜，發(fā)現正電子的長、短壽命和平均壽命隨光照時間的增加先縮短

2、，然后逐漸增加。測試了樣品臨界溫度與光照時間的關系，其臨界溫度均有所提高，并利用光致電荷轉移模型，進行了分析和討論。認為Cu-O鏈層的氧空位可以看做是光激發(fā)的電子的陷阱，它可將電子俘獲。俘獲的電子產生晶格畸變，形成空穴復合的能量勢壘，該勢壘阻止電子與空穴的重新復合，結果空穴被轉移到CuO2面上，導致CuO2面上的載流子的濃度增加，提高了電導率。 利用正電子湮沒技術對稀土元素替代的RBCO系列樣品，進行了系統的研究，對鑭系收縮效應