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文檔簡介
1、在現(xiàn)代的半導體行業(yè)當中，低溫等離子體技術常常被應用于基片刻蝕、薄膜生長以及表面改性等等方面。容性耦合等離子體源相對于感應耦合等離子體源來說，具有結構簡單，更容易形成大口徑等離子體等優(yōu)點，因此廣泛應用在半導體工業(yè)當中。甚高頻容性耦合等離子體(CCP)是一種主要的刻蝕工具。由于其能分別控制離子通量和離子能量，通常用于高精度的薄柵極氧化層的刻蝕上。另外，高于工業(yè)標準的13.56MHz的頻率的高密度的容性耦合等離子體也常被用于高沉積率的薄膜沉積
2、當中。
在本文中，通過使用掃描發(fā)射光譜儀和朗繆爾雙探針的測量方法研究了40.68MHz的射頻驅動的N2容性耦合等離子體(CCP)的不均勻性：利用朗繆爾雙探針測量了在氮氣等離子體內徑向方向上電子密度和電子溫度，從而對容性耦合等離子體中氮氣的電子密度和電子溫度的均勻性進行研究；采用最小二乘法逐點比較測量值和理論值的方法，通過對氮分子第二正帶系(C3∏u-B3∏g)380.4nm到367.1nm的峰進行了擬合，得到氮分子的轉動溫
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