非金屬摻雜二氧化鈰的結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的第一性原理研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩77頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、二氧化鈰作為稀土金屬氧化物的代表,因具有硬度高、抗拉伸能力好、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性,被廣泛的應(yīng)用。二氧化鈰作為拋光粉材料反應(yīng)較好,近年來(lái)越來(lái)越多的學(xué)者關(guān)注于此,以求找到在不影響拋光質(zhì)量和拋光精度的前提下提高拋光效率,制備復(fù)合CeO2拋光磨料并研究其拋光性能的改變是許多研究者近年來(lái)一直鉆研的工作。
  本文采用基于密度泛函理論基礎(chǔ)的第一性原理VASP軟件包,對(duì)二氧化鈰、非金屬摻雜二氧化鈰及二氧化鈰(111)面的力學(xué)性能和電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行

2、研究。其主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:
 ?。?)建立CeO2晶體的結(jié)構(gòu)模型,對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化,在此基礎(chǔ)上計(jì)算其力學(xué)常數(shù),電子態(tài)密度,能帶結(jié)構(gòu),并與實(shí)驗(yàn)值和他人結(jié)果比較,驗(yàn)證所建模型的準(zhǔn)確性;由于 Ce含有4f電子軌道,對(duì)CeO2的計(jì)算需引用Hubbard U參數(shù),即進(jìn)行DFT+U與傳統(tǒng)DFT方法的比較,得出DFT+U方法能更為準(zhǔn)確的計(jì)算出CeO2的性質(zhì);
 ?。?)在上述正確模型的基礎(chǔ)上,對(duì)體系摻雜Si、P、B和F元素,將非金屬元素

3、分別嘗試置換Ce位置、置換O位置和間隙在體內(nèi),通過(guò)比較結(jié)合能最終確定Si、P和B置換Ce,F(xiàn)原子置換O;并計(jì)算這四種摻雜體系的電子結(jié)構(gòu)和力學(xué)常數(shù),得出非金屬摻雜增強(qiáng)體系軌道雜化作用,改變體系的韌性;
  (3)建立CeO2(111)面的模型,在CeO2(111)表面的五個(gè)高對(duì)稱(chēng)位置嘗試吸附Si、P、B和F,通過(guò)比較元素在五個(gè)位置的吸附能,找到最易發(fā)生吸附的位置,比較吸附前后粒子距離表面位置的變化,分析表面吸附粒子后對(duì)能帶和態(tài)密度的

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論