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文檔簡(jiǎn)介
1、二氧化鈰作為稀土金屬氧化物的代表,因具有硬度高、抗拉伸能力好、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性,被廣泛的應(yīng)用。二氧化鈰作為拋光粉材料反應(yīng)較好,近年來(lái)越來(lái)越多的學(xué)者關(guān)注于此,以求找到在不影響拋光質(zhì)量和拋光精度的前提下提高拋光效率,制備復(fù)合CeO2拋光磨料并研究其拋光性能的改變是許多研究者近年來(lái)一直鉆研的工作。
本文采用基于密度泛函理論基礎(chǔ)的第一性原理VASP軟件包,對(duì)二氧化鈰、非金屬摻雜二氧化鈰及二氧化鈰(111)面的力學(xué)性能和電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行
2、研究。其主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:
?。?)建立CeO2晶體的結(jié)構(gòu)模型,對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化,在此基礎(chǔ)上計(jì)算其力學(xué)常數(shù),電子態(tài)密度,能帶結(jié)構(gòu),并與實(shí)驗(yàn)值和他人結(jié)果比較,驗(yàn)證所建模型的準(zhǔn)確性;由于 Ce含有4f電子軌道,對(duì)CeO2的計(jì)算需引用Hubbard U參數(shù),即進(jìn)行DFT+U與傳統(tǒng)DFT方法的比較,得出DFT+U方法能更為準(zhǔn)確的計(jì)算出CeO2的性質(zhì);
?。?)在上述正確模型的基礎(chǔ)上,對(duì)體系摻雜Si、P、B和F元素,將非金屬元素
3、分別嘗試置換Ce位置、置換O位置和間隙在體內(nèi),通過(guò)比較結(jié)合能最終確定Si、P和B置換Ce,F(xiàn)原子置換O;并計(jì)算這四種摻雜體系的電子結(jié)構(gòu)和力學(xué)常數(shù),得出非金屬摻雜增強(qiáng)體系軌道雜化作用,改變體系的韌性;
(3)建立CeO2(111)面的模型,在CeO2(111)表面的五個(gè)高對(duì)稱(chēng)位置嘗試吸附Si、P、B和F,通過(guò)比較元素在五個(gè)位置的吸附能,找到最易發(fā)生吸附的位置,比較吸附前后粒子距離表面位置的變化,分析表面吸附粒子后對(duì)能帶和態(tài)密度的
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