2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、在過去幾年,人們一直對(duì)透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的發(fā)展很感興趣。TCO薄膜由于具備較高的可見光透過率和導(dǎo)電性,被廣泛應(yīng)用在各種電子和光電領(lǐng)域,例如顯示器,太陽(yáng)能電池以及光電子器件。ZnO是一種Ⅱ-Ⅵ族直接寬帶隙半導(dǎo)體材料,室溫下的禁帶寬度為3.37 eV,它的激子束縛能高達(dá)60 meV。此外,ZnO具有顯著的光學(xué)和電學(xué)特性,具有較高的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,它的熔點(diǎn)也很高。另外,ZnO原材料豐富,價(jià)格低廉,對(duì)環(huán)境無(wú)毒無(wú)害,制備工藝簡(jiǎn)單,具有很大的

2、商用價(jià)值。因此,越來越受到人們的關(guān)注并成為研究的熱點(diǎn)。正是因?yàn)閆nO具有這些特性,所以它很適合用于制備各種光電器件,比如發(fā)光二極管、激光器、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等等。本論文主要利用磁控濺射法制備了Ag/ZnO肖特基二極管和In摻雜ZnO(IZO)薄膜晶體管,并對(duì)它們的電學(xué)性能進(jìn)行了分析。
  本文我們采用磁控濺射的方法,利用ZnO陶瓷靶,在ITO玻璃襯底上制備了一層ZnO薄膜,然后,利用 X射線衍射儀和紫外可見分光光度儀分別對(duì)500℃下所

3、制備的ZnO薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)質(zhì)量和光學(xué)透過率進(jìn)行了表征。我們從XRD圖可以看出所制備的ZnO薄膜具有良好的c軸擇優(yōu)取向,而且我們計(jì)算得出了ZnO的晶粒尺寸約為19.5 nm。從透過率圖中可以看出ZnO具有很好的透過性并且我們從吸收?qǐng)D中計(jì)算出了ZnO的禁帶寬度約為3.24 eV。在制備薄膜的基礎(chǔ)上,我們制備了Ag/ZnO肖特基二極管,分析了不同的光照強(qiáng)度和溫度變化對(duì)器件的電學(xué)性能的影響。我們發(fā)現(xiàn)理想因子和勢(shì)壘高度隨光照強(qiáng)度的增加均減小,串聯(lián)

4、電阻的值隨光照強(qiáng)度的增加而降低。對(duì)298-343K的溫度范圍內(nèi)測(cè)得的 I-V曲線進(jìn)行分析,得出二極管的理想因子和串聯(lián)電阻隨著溫度的升高而減小,勢(shì)壘高度則隨著溫度的增加而增加。在制備肖特基二極管的基礎(chǔ)上,我們制備了基于ZnO的肖特基柵晶體管并對(duì)它的電學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試。
  最后,我們以磁控濺射為依托,探究性的采用了三種不同的制備方法制備出底柵式IZO薄膜晶體管并對(duì)其中一種制備方法制備出的晶體管進(jìn)行了真空退火,隨后我們用Keithle

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