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文檔簡介
1、使用電化學恒電位沉積的方法制備聚吡咯薄膜熱電材料，優(yōu)化了制備聚吡咯薄膜的方法，并在此基礎上與Sb2Te3無機顆粒進行物理共混沉積，得到無機-有機Sb2Te3/PPy復合材料。室溫下，復合薄膜材料的Seebeck系數(shù)(35.6368μV/K)得到明顯的提高，約為純聚吡咯薄膜(8.4568μV/K)的4倍。測試了復合薄膜在不同溫度下(300K-400K)的電導率和Seebeck系數(shù)，實驗結(jié)果表明:溫度為400K，電電聚合時間為30s，摻雜頻
2、率為6次時，Seebeck系數(shù)最高可達到38.96μV/K;溫度為400K，電沉積聚吡咯時間為100s，摻雜頻率為2次時，電導率最大為1556S/m，PF值最高為0.223μW/m K2。室溫下，純聚吡咯薄膜和復合薄膜的熱導率分別為8.06W/m K和5.86W/mK。除此之外，吡咯單體與3，4-二氧乙撐噻吩單體分散在對甲苯磺酸溶液中，利用循環(huán)伏安法進行聚合，得到的有機復合薄膜的Seebeck系數(shù)為16.92μV/K，約為純聚吡咯薄膜(
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