集成溫度采樣功能的IGBT設(shè)計(jì).pdf

1、IGBT（Insulated-Gated Bipolar Transistor）始終朝著高電壓、大電流密度以及高溫環(huán)境下具有更高的可靠性方向發(fā)展，目前電壓等級(jí)600V，電流能力100A、200A及300A、結(jié)溫175℃的產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于工況復(fù)雜的高頻、高壓、大電流開(kāi)關(guān)電源裝備中，這增加了IGBT出現(xiàn)過(guò)溫失效的風(fēng)險(xiǎn)。IGBT的另一個(gè)重要發(fā)展趨勢(shì)為向集成化方向發(fā)展，集成具有過(guò)溫保護(hù)功能的IGBT也是解決過(guò)溫失效的發(fā)展趨勢(shì)?；诖耍疚奶岢隽?/p>

2、一款集成溫度采樣功能的600V/300A的IGBT，其中主功率器件采用增加CS層的Trench-FS結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)熱穩(wěn)定性好、性能高；溫度采樣器件選用多晶二極管，與IGBT工藝兼容性好，隨溫度變化的靈敏度高。此外，本次設(shè)計(jì)還提供了溫度采樣電路，該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，增加了遲滯環(huán)節(jié)，消除了熱振蕩。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴總結(jié)目前IGBT發(fā)展趨勢(shì)及實(shí)現(xiàn)過(guò)溫保護(hù)功能途徑，進(jìn)行對(duì)比，提出集成溫度采樣器件選用多晶二極管的600V Tr

3、ench-FS-IGBT結(jié)構(gòu)，分析其結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)。⑵建立了本結(jié)構(gòu)的工藝制程，工藝上IGBT與多晶二極管實(shí)現(xiàn)兼容和器件之間的隔離。制作的600V/300A Trench-FS型IGBT，利用仿真軟件進(jìn)行器件設(shè)計(jì)，包括IGBT元胞和終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，最終其擊穿電壓BV=767V，閾值電壓VTH=5.5V，正向?qū)▔航礦CE=1.67V且具有正溫度系數(shù)，集電極-發(fā)射極漏電流小于1μA，電流下降時(shí)間tf=70ns，關(guān)斷損耗EOff=13.82mJ；制作

4、的多晶硅二極管，利用仿真軟件分析其特性，最終其擊穿電壓BV=10.3V，正向電壓降VF=0.627V、溫度變化率為-2mV/℃。⑶設(shè)計(jì)了過(guò)溫保護(hù)電路模塊，建立IGBT和多晶二極管的Spice模型，該模型的準(zhǔn)確率高；實(shí)現(xiàn)了IGBT在170℃過(guò)溫關(guān)斷、145℃過(guò)溫保護(hù)自解除，遲滯溫度為25℃，且電路的抗干擾能力強(qiáng)。最后根據(jù)電流密度和電流能力，制作了版圖，其中IGBT有源區(qū)面積1.25cm2，多晶二極管寬度2000μm；多晶硅二極管位于等位環(huán)