聚吡咯膜修飾電極的制備以及利用修飾電極的過(guò)程富集待測(cè)物方法的研究.pdf

1、該文利用聚吡咯膜制備中的離子摻雜過(guò)程作為富集手段,對(duì)抗壞血酸、草酸、硝苯地平和土霉素在電極表面上的富集進(jìn)行了研究,同時(shí)建立了草酸、硝苯地平的分析檢測(cè)方法.發(fā)現(xiàn)采用該方法可以提高檢測(cè)的靈敏度,降低檢測(cè)下限,從而豐富與發(fā)展了溶出伏安分析法.利用電化學(xué)、紅外光譜、石英晶體微天平等手段對(duì)該方法進(jìn)行了研究,證明了待測(cè)物可以方便的在聚吡咯膜的形成過(guò)程中摻雜進(jìn)聚吡咯膜.在一定條件下又可溶出,溶出過(guò)程中獲得的電化學(xué)響應(yīng)可用于分析檢測(cè).論文的主要工作總結(jié)

2、如下:1、綜述了化學(xué)修飾電極和導(dǎo)電聚合物修飾電極的研究進(jìn)展.2、制備了聚吡咯修飾電極,進(jìn)行了抗壞血酸的富集研究.3、對(duì)硝苯地平在聚吡咯修飾電極上的電化學(xué)行為進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)在NH<,3>-NH<,4>Cl底液中以200 mV/S進(jìn)行線性掃描,硝苯地平在聚吡咯修飾電極上有一靈敏的線性掃描峰,峰電位在-0.96v(vs.SCE).峰電流與硝苯地平的濃度在1×10<'-6>~1×10<'-4>mol/L有良好的線性關(guān)系,檢測(cè)下限為5×10<'

3、-7>.4、利用吡咯的聚合過(guò)程將硝苯地平摻雜富集進(jìn)聚吡咯膜中,在0.088 mol/LH<,2>O<,2>+0.1 mol/L H<,2>SO<,4>底液中以100 mV/s進(jìn)行線性掃描,硝苯地平有一靈敏的線性掃描溶出峰,峰電位在-0.628v(vs.SCE).峰電流與硝苯地平的濃度在1×10<'-8>~1×10<'-4>mol/L有良好的線性關(guān)系,檢測(cè)下限為5×10<'-9>,檢測(cè)靈敏度有了很大提高.5、利用吡咯的聚合過(guò)程將草酸根離子