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1、 本碩士學(xué)位論文主要就電化學(xué)原子層外延法在多晶金和單晶硅電極表面構(gòu)建SnSe半導(dǎo)體化合物進(jìn)行了研究,并用多種電化學(xué)方法及X-射線衍射(XRD)對(duì)沉積機(jī)理和化合物形態(tài)進(jìn)行了研究和表征,證實(shí)了電極表面SnSe化合物的形成。同時(shí)研究了錫(Sn2+)在多晶金電極表面的欠電位沉積和吸附行為,并將Sn的欠電位沉積研究結(jié)果用于實(shí)際樣品分析中,得到了令人滿(mǎn)意的結(jié)果。 循環(huán)伏安、計(jì)時(shí)庫(kù)侖(CC)及微分脈沖陽(yáng)極溶出伏安法等電化學(xué)方法研究了Sn2
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