L-賴氨酸、L-酪氨酸單分子層玻碳修飾電極在抗壞血酸共存下對多巴胺的檢測.pdf

1、化學修飾電極的特色在于能在基體電極表面進行分子設計，從而達到高選擇和高靈敏度的檢測，使得它在電分析化學中得到廣泛的應用。本文構筑了氨基酸單層膜玻碳化學修飾電極，結合電化學方法，對多巴胺(DA)及抗壞血酸(AA)在此類修飾玻碳電極上的電化學行為進行研究，實現(xiàn)了在抗壞血酸共存下對多巴胺的選擇性測定。本文共分為四章： 第一章，對化學修飾電極的定義、類型、制備、表面分析及其應用進行概述。同時對氨基酸、多巴胺、抗壞血酸進行了介紹。

2、 第二章，運用電化學氧化法制備了L-賴氨酸、L-酪氨酸單層膜修飾玻碳電極。利用Fe(CN)63-/4-氧化還原活性探針離子考察了組裝膜的電化學行為及其穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。利用交流阻抗技術對修飾電極的表面狀況進行了表征，并計算了電極表面相對覆蓋度，L-賴氨酸為94.6％，L-酪氨酸為95.9％。 第三章，首先，用循環(huán)伏安(CV)法和差分脈沖伏安(DPV)法分別研究了DA和AA在L-賴氨酸單分子層玻碳修飾電極(Lys/GCE)上的電化學

3、行為。實驗結果表明，Lys/GCE不僅能改善DA和AA電化學可逆行為，而且可將DA(pKa=8.82)和AA(pKa=4.12)的氧化電位進行區(qū)分，在CV圖中峰間距為507mV，DPV圖上峰間距為460mV，實現(xiàn)了在AA共存下對DA的選擇性測定。在荷負電的Lys/GCE上，荷正電的DA的電化學反應氧化峰電流顯著地加強，而荷負電的AA的電化學反應氧化峰電流卻被顯著地抑制，這種靜電作用的差別使得DA和AA原本重疊的單氧化峰分開成為兩個完全獨

4、立的氧化峰。其次，同樣采用CV法和DPV法研究了DA和AA在L-酪氨酸單分子層玻碳修飾電極(Tyr/GCE)上的電化學行為。在此修飾電極上DA的可逆性得到改善，同樣由于靜電作用，DA和AA原本重疊的單氧化峰也分開成兩個獨立的氧化峰，在CV圖中峰間距為130mV，DPV圖上峰間距為408mV，也能實現(xiàn)在AA共存下對DA的選擇性測定。用這兩種修飾電極對混合樣品中的DA和AA進行了測定，在Lys/GCE上DA的氧化峰電流與濃度在5.0×10-