電力電子技術(shù)試題20套及答案

1、考試試卷 考試試卷( 1 )卷一、填空題（本題共 一、填空題（本題共 8 小題，每空 小題，每空 1 分，共 分，共 20 分） 分）1、電子技術(shù)包括______________和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說(shuō)的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。 2、為減少自身?yè)p耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在_________狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí)，_________損耗會(huì)成為主要的損耗。 3、在 PWM 控制電路中，載波頻率與調(diào)制信

2、號(hào)頻率之比稱為_(kāi)____________，當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為_(kāi)________調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為_(kāi)___________調(diào)制。 4、面積等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí)，其效果基本相同。5、在 GTR、GTO、IGBT 與 MOSFET 中，開(kāi)關(guān)速度最快的是_________，單管輸出功率最

3、大的是_____________，應(yīng)用最為廣泛的是___________。 6、設(shè)三相電源的相電壓為 U2，三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即 ，其承受的最大正向電壓為 。 7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源，則稱為 逆變，如果接到負(fù)載，則稱為 逆變。8、如下圖，指出單相半橋電壓型逆變電路工作過(guò)程中各時(shí)間段電流流

4、經(jīng)的通路(用 V1,VD1,V2,VD2 表示)。(1) 0~t1 時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)_______；(2) t1~t2 時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(3) t2~t3 時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(4) t3~t4 時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(5) t4~t5 時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；5、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（ ）A、30°

5、～150 B、0°～120° C、15°～125° D、0°～150° 6、桓流驅(qū)動(dòng)電路中加速電容 C 的作用是（ ）A、加快功率晶體管的開(kāi)通 B、延緩功率晶體管的關(guān)斷 C、加深功率晶體管的飽和深度 D、保護(hù)器件 7、直流斬波電路是一種（ ）變換電路。A、AC/AC

6、 B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 8、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲(chǔ)時(shí)間，桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用（ ）A、du/dt 抑制電路 B、抗飽和電路 C、di/dt 抑制電路 D、吸收電路 9、已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過(guò)晶閘管的電流（ ）A、減小至維持電流以下 B、減小至擎住電流以下C、減小至門(mén)極觸發(fā)電流以下

7、 D、減小至 5A 以下 10、IGBT 是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是（ ）A、GTR 驅(qū)動(dòng)的 MOSFET B、MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 GTR C、MOSFET 驅(qū)動(dòng)的晶閘管 D、MOSFET 驅(qū)動(dòng)的 GTO三、簡(jiǎn)答題（共 三、簡(jiǎn)答題（共 3 小題， 小題，22 分） 分）1、簡(jiǎn)述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。（7 分）2、電壓型逆變電路的主要特