納米無機氧化物-環(huán)氧樹脂復合物界面特性與介電性研究.pdf

1、環(huán)氧樹脂由于其優(yōu)異的介電性能、機械性能、熱性能等優(yōu)點在高壓開關、真空澆注干式變壓器、電力互感器、斷路器及組合電器、復合絕緣子等領域得到了廣泛應用。為了滿足高壓電氣設備對其絕緣性能更高的要求，對于無機納米復合物的研究成為熱點課題之一。如果能將無機納米顆粒與聚合物基體完美的結合在一起，不僅能維持納米粒子本身的特性，更能改善絕緣材料的性能，這對于提高電氣設備絕緣材料的品質以及運行的可靠性和持久性開拓了更廣闊的前景。
　　在本文中，主要通

2、過測試四種不同納米粒子 SiO2、Al2O3、MgO、ZnO在乙醇懸浮液中的Zeta電位值和納米粒子含量分別為1wt％、3wt%和5wt%的納米環(huán)氧樹脂復合材料的介電性（介電譜特性、電導電流特性、擊穿特性），從納米粒子與基體的界面結合強度、陷阱密度以及載流子遷移率等方面分析不同種類與含量納米粒子對環(huán)氧樹脂復合材料介電性的影響。
　　實驗結果表明：納米 SiO2懸浮液的Zeta電位值最大，根據(jù)界面模型理論可以知道，納米 SiO2粒子

3、與基體之間的界面結合更緊密，同時納米粒子周圍表面的電荷密度也相對較高，進一步影響了納米復合物的介電性能。
　　在介電譜實驗中，隨著納米填料濃度的增加，試樣的介電常數(shù)和介質損耗因數(shù)均有不同程度的變化，說明復合物的介電常數(shù)和損耗因數(shù)受填料濃度的影響。在納米填料為3wt%的含量下，SiO2填充試樣的介電常數(shù)和損耗因數(shù)值均為所有試樣中的最小值。電導與擊穿特性實驗中，SiO2納米復合物的電導電流值最小，擊穿場強值最高。對于 SiO2納米復合