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文檔簡介
1、半導體激光器具有體積小、壽命長、閾值電流低且易于與多種光電子器件集成等特點,諸多優(yōu)勢使其在民用、醫(yī)學、工業(yè)和軍事等領域應用廣泛。但是隨著半導體激光器輸出功率的提高,其產(chǎn)生的廢熱問題也愈發(fā)嚴重,導致有源區(qū)溫度升高、電光轉(zhuǎn)換效率降低和激射波長紅移等負面效應,所以對半導體激光器熱特性的研究一直是重要課題。
本論文從半導體激光器的制作工藝和熱特性理論出發(fā),利用ANSYS軟件,對工作波長為808nm的單芯片激光器的有源區(qū)溫度與封裝熱沉尺
2、寸的關(guān)系進行了穩(wěn)態(tài)熱分析,模擬得出了不同熱沉參數(shù)條件下芯片有源區(qū)溫度的變化規(guī)律。
在關(guān)于單芯片激光器熱特性結(jié)論的基礎上,基于改變熱沉尺寸,對以階梯熱沉結(jié)構(gòu)封裝的多芯片百瓦級半導體激光器進行了穩(wěn)態(tài)熱分析,研究得出最高Cu熱沉與最低Cu熱沉封裝的芯片有源區(qū)溫度變化曲線,進而得到兩者溫度差及多芯片之間熱耦合作用的變化規(guī)律。
最后,對所分析的單芯片和多芯片半導體激光器的散熱結(jié)構(gòu)均進行了設計和優(yōu)化,提出了新的熱沉封裝方案。關(guān)于
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