1.06μm高功率半導體激光器

1、U D C ：1 ．0 6 p m 高功率半導體激光器1 ．0 6 t t mH i g h P o w e r S e m i c o n d u c t o r L a s e r學位授予單位及代碼：蓬壹堡王太堂 ≤! Q ! 墨魚2學科專業(yè)名稱及代碼： 迸堂 ( Q Z Q 2 Q 2 2研究方向：邀迸物堡皇新型邀迸墨 申請學位級別：亟 ±．指導教師： 奎掛 研 究 生： 隆融論文起止時間： 2 0 1 0 ．1 1 —

2、2 0 幽摘 要大功率半導體激光器是目前應用廣泛的激光器類型，而其中激射波長為1 ．0 6 9 m 的半導體激光器在軍事方面起著重要的作用，例如激光制導、激光跟蹤、激光測距、激光雷達、激光瞄準以及激光警告等。本文采用寬波導的結(jié)構(gòu)來增大激光器輸出功率，同時減小了光學災變損傷閾值。并且通過模擬對激光器結(jié)構(gòu)中各層的厚度、組分進行優(yōu)化，研究其限制因子、折射率、輸出功率、閾值電流等重要參數(shù)，進而得到完整的1 ．0 6 J ．t m 單量子阱半導體

3、激光激器結(jié)構(gòu)，即量子阱厚度為0 ．0 0 7 9 m ，波導層厚度分別為l p , m ，其中A l 組分為O ．1 5 ，上限制層厚度為1 ．8 9 m ，下限制層厚度為3 ．2 p m 并且其中A l 的組分均為0 ．4 。最終對論文中設(shè)計的激光器結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化工藝，制備出腔長l m m ，條寬1 0 0 p m 的激光器晶體，并對其進行測量，得到激光器的工作電流大約在3 ．9 A 時，輸出功率平均可以達到2 ．8 5 W ，斜效率約