基于SU-8-PMMA雙層膠制備微納米陣列結(jié)構(gòu).pdf

1、隨著微納米加工技術(shù)的不斷發(fā)展，微納米加工技術(shù)在醫(yī)學(xué)、生物學(xué)、光學(xué)、能源、微電子、微機(jī)械等居多領(lǐng)域的應(yīng)用變得越來(lái)越廣泛。但是現(xiàn)有的微納米加工技術(shù)遠(yuǎn)不能滿足人類快速發(fā)展和進(jìn)步的需求，因此各種新型的微納米加工技術(shù)的研究仍然是科學(xué)界的一個(gè)十分重要的課題。
　　本文提出了一種通過(guò)SU-8/PMMA雙層膠壓印技術(shù)制備微納米陣列的方法，這種方法具有成本低，過(guò)程簡(jiǎn)單并且可實(shí)現(xiàn)大面積壓印等優(yōu)點(diǎn)。我們首先用PDMS模板壓印涂有SU-8/PMMA雙層膠

2、的硅片，用ICP刻蝕后就在硅片表面得到具有內(nèi)切結(jié)構(gòu)的雙層膠掩膜，這種結(jié)構(gòu)非常有利于鍍膜后的去膠，接著通過(guò)鍍膜去膠成功制得了金微納米線陣列結(jié)構(gòu)，并結(jié)合金屬輔助濕法刻蝕在硅片表面制備得到微納米點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)，兩種陣列結(jié)構(gòu)都具有良好的均勻性而且缺陷很少。該實(shí)驗(yàn)過(guò)程中SU-8和PMMA的膜厚、壓印溫度、ICP參數(shù)、鍍膜厚度以及去膠時(shí)間是關(guān)鍵因數(shù)。
　　最后我們通過(guò)這種方法制備了應(yīng)用于太赫茲波傳輸研究的金微納米線陣列，并制備了兩種具有不同周期微