真空鍍膜技術(shù)專用詞匯

1、真空鍍膜技術(shù)專用詞匯 真空鍍膜技術(shù)專用詞匯6.1 一般術(shù)語 一般術(shù)語6.1.1 真空鍍膜 vacuum coating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。6.1.2 基片 substrate：膜層承受體。6.1.3 試驗基片 testing substrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測量和（或）試驗的基片。6.1.4 鍍膜材料 coating material：用來制取膜層的原材料。6.1.5 蒸發(fā)材料 evapo

2、ration material：在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。6.1.6 濺射材料 sputtering material：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。6.1.7 膜層材料(膜層材質(zhì))film material：組成膜層的材料。6.1.8 蒸發(fā)速率 evaporation rate：在給定時間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來的材料量,除以該時間間隔6.1.9 濺射速率 sputtering rate：在給定時間間隔內(nèi),濺射出來的材料量,除以該時間

3、間隔。6.1.10 沉積速率 deposition rate：在給定時間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片表面積。6.1.11 鍍膜角度 coating angle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。 6.2 工藝 工藝6.2.1 真空蒸膜 vacuum evaporation coating：使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過程。6.2.1.1 同時蒸發(fā) simultaneous evaporation：用數(shù)個蒸

4、發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。6.2.1.2 蒸發(fā)場蒸發(fā) evaporation field evaporation：由蒸發(fā)場同時蒸發(fā)的材料到基片上進(jìn)行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布)。6.2.1.3 反應(yīng)性真空蒸發(fā) reactive vacuum evaporation：通過與氣體反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。6.2.1.4 蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā) reactive vacu

5、um evaporation in evaporator：與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng),而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。6.2.1.5 直接加熱的蒸發(fā) direct heating evaporation：蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發(fā)。6.2.1.6 感應(yīng)加熱蒸發(fā) induced heating evaporation：蒸發(fā)材料通過感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。6.2.1.7 電子束蒸發(fā) elect

6、ron beam evaporation：通過電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。6.2.1.8 激光束蒸發(fā) laser beam evaporation：通過激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。6.2.1.9 間接加熱的蒸發(fā) indirect heating evaporation：在加熱裝置(例如小舟形蒸發(fā)器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所必須的熱量并通過熱傳導(dǎo)或熱輻射方式傳遞給蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。6.2.1.10 閃蒸

7、 flash evaportion：將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時的蒸發(fā)。6.2.2 真空濺射 vacuum sputtering：在真空中，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子（分6.3.5 間接加熱式蒸發(fā)器 evaporator by indirect heat：蒸發(fā)材料通過熱傳導(dǎo)或熱輻射被加熱的蒸發(fā)器。6.3.6 蒸發(fā)場 evaporation field：由數(shù)個排列的蒸發(fā)器加熱相同蒸發(fā)材料形成的場。6.3.7 濺射裝置 sputt

8、ering device：包括靶和濺射所必要的輔助裝置(例如供電裝置,氣體導(dǎo)入裝置等)在內(nèi)的真空濺射設(shè)備的部件。6.3.8 靶 target：用粒子轟擊的面。本標(biāo)準(zhǔn)中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所組成的電極。6.3.9 擋板 shutter：用來在時間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達(dá)到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活動的。 6.3.10 時控?fù)醢?timing shutter：在時間上能用來限制鍍膜,因此從鍍膜的開始

9、、中斷到結(jié)束都能按規(guī)定時刻進(jìn)行的裝置。6.3.11 掩膜 mask：用來遮蓋部分基片,在空間上能限制鍍膜的裝置。6.3.12 基片支架 substrate holder：可直接夾持基片的裝置,例如夾持裝置,框架和類似的夾持器具。6.3.13 夾緊裝置 clamp：在鍍膜設(shè)備中用或不用基片支架支承一個基片或幾個基片的裝置,例如夾盤,夾鼓,球形夾罩,夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動的(旋轉(zhuǎn)架,行星齒輪系等)。6.3.14 換向裝置 rev

10、ersing device：在真空鍍膜設(shè)備中,不打開設(shè)備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置(基片換向器,試驗玻璃換向器,掩膜換向器)。6.3.15 基片加熱裝置 substrate heating device：在真空鍍膜設(shè)備中,通過加熱能使一個基片或幾個基片達(dá)到理想溫度的裝置。6.3.16 基片冷卻裝置 substrate colding device：在真空鍍膜設(shè)備中,通過冷卻能使一個基片或幾個基片達(dá)到理想溫度的裝置。6.

11、4 真空鍍膜設(shè)備 真空鍍膜設(shè)備6.4.1 真空鍍膜設(shè)備 vacuum coating plant：在真空狀態(tài)下制取膜層的設(shè)備。6.4.1.1 真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備 vacuum evaporation coating plant：借助于蒸發(fā)進(jìn)行真空鍍膜的設(shè)備。6.4.1.2 真空濺射鍍膜設(shè)備 vacuum sputtering coating plant：借助于真空濺射進(jìn)行真空鍍膜的設(shè)備。6.4.2 連續(xù)鍍膜設(shè)備 continuous co