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1、氚化鈦是一種優(yōu)良的貯氫材料,被作為氚靶的膜材料和離子源片材料廣泛應(yīng)用于中子管中。在我國(guó),對(duì)氚化鈦的研究主要集中在核能、化學(xué)材料研究院所。由于對(duì)成膜特性研究的方向不同,成膜工藝參數(shù)要求各異,因此膜材料的制備設(shè)備主要靠自行研制為主。這些設(shè)備在操作方面需要適度自動(dòng)化控制,數(shù)據(jù)需要及時(shí)采集并按一定的方法處理,需要編制專(zhuān)用軟件。 本論文重點(diǎn)闡述了化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備氚化鈦薄膜裝置的總體設(shè)計(jì)過(guò)程,主要包括反應(yīng)系統(tǒng)機(jī)械硬件設(shè)計(jì)、電控系
2、統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)、計(jì)算機(jī)控制專(zhuān)用軟件設(shè)計(jì)和編寫(xiě)過(guò)程。論文主要工作如下: (1)在分析了CVD鍍膜的技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)的基礎(chǔ)上,提出了實(shí)現(xiàn)本系統(tǒng)的技術(shù)路線,并總結(jié)了本論文研究的主體工作及意義。 (2)對(duì)鈦、鈦氫化物性質(zhì)以及CVD鍍膜的工藝參數(shù)進(jìn)行了分析,針對(duì)鍍膜裝置設(shè)計(jì)的使用要求,技術(shù)指標(biāo)和應(yīng)具備的主要功能,確定了氚化鈦鍍膜的工藝流程,據(jù)此設(shè)計(jì)了系統(tǒng)的總體結(jié)構(gòu)。 (3)通過(guò)對(duì)系統(tǒng)的總體設(shè)計(jì)后,應(yīng)用三維CAD技術(shù)以及
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