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1、本文制備了以Al/CuO納米薄膜為反應(yīng)層的含能半導(dǎo)體橋(簡(jiǎn)稱Al/CuO-SCB),設(shè)計(jì)了六種不同橋型的Al/CuO-SCB,通過1A lW5min不發(fā)火實(shí)驗(yàn)、靜電放電實(shí)驗(yàn)研究了含能半導(dǎo)體橋的安全性能,利用ANSYS有限元分析軟件模擬了Al/CuO-SCB在靜電放電過程中的溫度場(chǎng)分布,對(duì)Al/CuO-SCB的靜電安全性進(jìn)行了研究。另外,通過點(diǎn)火實(shí)驗(yàn)初步探究了Al/CuO-SCB的非接觸式點(diǎn)火性能。主要結(jié)論如下:
(1)與多晶硅
2、半導(dǎo)體橋的恒流安全性相比較,Al/CuO-SCB的恒流安全性沒有降低。另外,不同橋型的Al/CuO-SCB火工品的1A lW5min不發(fā)火實(shí)驗(yàn)結(jié)果和紅外顯微測(cè)溫結(jié)果表明Al/CuO-SCB恒流安全性會(huì)隨著橋區(qū)質(zhì)量的增加而增強(qiáng);當(dāng)橋區(qū)質(zhì)量相同時(shí),矩形橋型的Al/CuO-SCB恒流安全性優(yōu)于V角橋型的Al/CuO-SCB。
(2)通過ANSYS有限元分析軟件對(duì)Al/CuO-SCB在500pF、5000Ω、25kV靜電放電作用下的溫
3、度場(chǎng)分布進(jìn)行了模擬,模擬結(jié)果顯示:Al/CuO-SCB表面最高溫度隨著橋區(qū)質(zhì)量的增加而減小,當(dāng)橋區(qū)質(zhì)量相同時(shí),矩形橋型的Al/CuO-SCB恒流安全性優(yōu)于表面溫度低于V角橋型的Al/CuO-SCB。
(3)靜電放電實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示:與多晶硅半導(dǎo)體橋的靜電安全性相比較,Al/CuO-SCB的靜電安全性沒有降低,并且Al/CuO-SCB靜電安全性的隨著橋區(qū)質(zhì)量的增大而增強(qiáng);當(dāng)橋區(qū)質(zhì)量相同時(shí),矩形橋型Al/CuO-SCB抗靜電能力強(qiáng)于V
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