硅納米線壓阻系數(shù)尺度效應(yīng)建模研究.pdf

1、慣性器件由MEMS向NEMS發(fā)展，器件敏感結(jié)構(gòu)尺寸由微米級向納米級轉(zhuǎn)變，壓阻效應(yīng)的靈敏度接近了檢測的極限，進一步提高靈敏度已非常困難，但是壓敏電阻尺寸達到納米量級時，其受到拉伸時電阻值發(fā)生巨大變化，可以在硅納米線等材料中觀察到。壓阻效應(yīng)的大小體現(xiàn)于壓阻系數(shù)之上，硅納米線壓阻系數(shù)比常規(guī)硅壓阻系數(shù)高兩個數(shù)量級，微小型化程度高，優(yōu)勢突出。
　　影響壓阻系數(shù)的因素有摻雜濃度和幾何尺寸，本文基于此對硅納米線壓阻系數(shù)尺度效應(yīng)展開了研究，對不同

2、摻雜濃度、不同尺度下的硅納米線進行模擬仿真，并建立了壓阻系數(shù)尺度模型，結(jié)果顯示:硅納米線壓阻系數(shù)隨著摻雜濃度增大而減小;硅納米線壓阻系數(shù)隨著長度的增加而緩慢增大;硅納米線壓阻系數(shù)隨著寬度（或截面積的增大）而劇烈減小。本文對文獻中報道的實際制備的硅納米線的尺寸進行模擬仿真，與測試結(jié)果進行了比對與分析，一定程度上驗證了模型的正確性;通過與本組實際制備的的硅納米線的尺寸進行模擬仿真，并與本組實測結(jié)果進行對比分析，發(fā)現(xiàn)本模型存在一定誤差，有繼續(xù)