用于鐵電存儲器的bi,3.25la,0.75ti,3o,12薄膜生長與性能研究

1、華中科技大學博士學位論文用于鐵電存儲器的BiLaTiO薄膜生長與性能研究姓名：李建軍申請學位級別：博士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：于軍20090629II華 中 科 技 大 學 博 士 學 位 論 文 在研究 V 摻雜提高 BLT 薄膜性能的基礎上，為了降低晶化溫度，采用紫外光輔助溶膠－凝膠法制備 BLTV 鐵電薄膜。紫外光輻照促進了凝膠薄膜中相關 C、H、O有機成分的分解， 有利于薄膜在后期退火處理過程中的晶化。 經紫外光輻

2、照的 BLTV薄膜樣品在 650℃退火處理后表現(xiàn)出良好的鐵電性能 （2Pr 為 38.7 µc/cm2， 2Ec 為 202.4 kV/cm） 。 以形核理論為基礎，研究了隨著晶化溫度的升高，晶粒尺寸增加，同時形核勢壘增加，形核主要由界面形核決定，并從實驗中觀測到 800℃晶化得到的 BLT 薄膜表現(xiàn)出與界面形核相對應的 c 軸取向的柱狀晶粒。結合擴散限制簇團聚模型和反應限制聚集模型模擬了隨著粒子數(shù)量增加對薄膜生長過程的影響。