xmcd吸收譜在鐵磁性納米薄膜中的應(yīng)用

1、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士學(xué)位論文XMCD吸收譜在鐵磁性納米薄膜中的應(yīng)用姓名：李紅紅申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：同步輻射及應(yīng)用指導(dǎo)教師：王劼20060501摘要利用加和定則計算原子的軌道磁矩和自旋磁矩時，關(guān)心的是吸收譜的積分面積。選用不同的數(shù)值積分方法得到的結(jié)果是不同的。我們利用X P S P E A K 4 ．1對實驗譜線進(jìn)行擬合，寫出吸收譜的解析函數(shù)，利用解析函數(shù)可精確求積分的優(yōu)點，建立相對“客觀”的標(biāo)準(zhǔn)，以此判斷在一定實驗條件下何種數(shù)值積分

2、方式更合理。4 ．X M C D 實驗技術(shù)在納米鐵磁性薄膜中的應(yīng)用。利用X M C D 實驗技術(shù)研究了兩個納米鐵磁性體系，1 ) M g O ／F e ／M g O ：得到了鐵原子的自旋磁矩／軌道磁矩為2 ．3 3 9 B ／0 ．0 6 9 9 B ，并考察了鐵膜的面內(nèi)磁各向異性，認(rèn)為F e 膜具有雙軸磁各向異性與單軸磁各向異性，二者疊加在一起，使得沿不同晶向具有不同的原子磁矩。2 ) A u ／C o ／A u ：磁特性隨磁性膜厚度