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文檔簡介
1、以SiC MOSFET為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件工作頻率高、器件損耗低、導(dǎo)熱性好，SiC MOSFET在功率變流器的應(yīng)用成為研究熱點。鑒于城市軌道交通車輛車載充電機仍然存在著效率低、發(fā)熱嚴重、功率密度低等問題，本文將SiCMOSFET應(yīng)用于城軌車輛充電機，完成SiC器件充電機的研究和設(shè)計，實現(xiàn)充電機性能的優(yōu)化。
文中首先對比總結(jié)了SiC MOSFET與Si IGBT的通態(tài)、阻態(tài)、開關(guān)和驅(qū)動特性等工作特性參數(shù);完成SiC MOSF
2、ET驅(qū)動電路的設(shè)計;面向SiC MOSFET功率回路中的串擾電壓以及高頻開關(guān)電壓振蕩問題，采用負壓關(guān)斷與降低柵極關(guān)斷電阻結(jié)合的方法抑制串擾電壓，采用RC吸收的方法抑制開關(guān)振蕩;通過雙脈沖實驗完成驅(qū)動電路和器件特性的測試。
針對高頻SiC MOSFET器件的特性，文中完成了充電機主回路拓撲和控制方式以及元器件參數(shù)的設(shè)計;完成了充電機控制系統(tǒng)以及運行程序設(shè)計;設(shè)計了充電機系統(tǒng)閉環(huán)控制器，保證充電機高頻化后的動態(tài)響應(yīng)能力和穩(wěn)定性;搭
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