電子技術(shù)復(fù)習題

1、113電子技術(shù)復(fù)習題電子技術(shù)復(fù)習題一、一、選擇題選擇題1、半導體中的空穴和自由電子數(shù)相等，這樣的半導體稱為（C）A.P型半導體；B.N型半導體；C.本征半導體。2、P型半導體是在本征半導體中加入微量的（A）元素構(gòu)成的。A、三價；B、四價；C、五價；D、六價。3、P型半導體中的多數(shù)載流子是（B）。A.電子B.空穴C.電子和空穴4、N型半導體中的多數(shù)載流子是（A）。A.電子B.空穴C.電子和空穴5.整流電路加濾波電路的主要作用是（B）A.提

2、高輸出電壓；B.減少輸出電壓的脈動程度；C.降低輸出電壓；D.限制輸出電流。6.三端穩(wěn)壓電源輸出負電壓并可調(diào)的是（B）A.CW79XX系列；B.CW337系列；C.CW317系列D.CW78XX系列7、基本放大電路中，經(jīng)過晶體管的信號電流有（C）。A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。8、基本放大電路中的主要放大對象是（B）。A、直流信號；B、交流信號；C、交直流信號均有。9、分壓式偏置的NPN型晶體管共發(fā)射極放大電路中，UB

3、點電位過高，晶體管易出現(xiàn)（A）。A、飽和狀態(tài)B、截止狀態(tài)C、放大狀態(tài)10、晶體管放大電路中，基極電流iB的數(shù)值較大時，易引起靜態(tài)工作點Q接近（B）。A、截止區(qū)；B、飽和區(qū)；C、死區(qū)。11.NPN型晶體放大電路中，晶體管各級電位最高的是：（C）A.基極；B.發(fā)射極；C.集電極12、射極輸出器的輸出電阻小，說明該電路的（A）A、帶負載能力強；B、帶負載能力差；C、減輕前級或信號源負荷。13、在三極管的輸出特性曲線中，每一條曲線與（C）對應(yīng)。

4、A、集電極電流B、發(fā)射極電流C、基極電流14、為了增大放大電路的動態(tài)范圍，其靜態(tài)工作點應(yīng)選擇（D）。A、截止點B、飽和點C、交流負載線的中點；D、直流負載線的中點。15.在晶體管放大電路中，當集電極電流增大時，將使晶體管（B）A.電壓UCE增大；B.電壓UCE減??；C.基極電流減小。16.已知某晶體管為硅管，則該管飽和時的飽和壓降UCES為（C）A.0.7V；B.0.1V；C.0.3V；D.1.0V。17、存在交越失真的功率放大電路是（

5、B）A、甲類功放電路B、乙類功放電路C、甲乙類功放電路18、共陰極接法七段數(shù)碼管(高電平發(fā)光)顯示的字型如右下圖所示，若要顯示數(shù)字“5”，則需要（D）字段為高電平，其余為低電平。A、acdefg；B、abcdfg；C、acefg；D、acdfg。3A、截止；B、飽和；C、放大。37、射極輸出器的電壓放大倍數(shù)為（C）。A、等于1；B、大于1；C、小于1但接近于1；D、小于1。38、存在“空翻”問題的觸發(fā)器是（B）A、D觸發(fā)器B、同步RS觸

6、發(fā)器C、主從JK觸發(fā)器D、T觸發(fā)器39、測得NPN型三極管上各電極對地電位分別為UE＝2.1V，UB＝2.8V，UC＝2.6V，此三極管處在（B）。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)40、編碼電路的輸入量是（B），譯碼電路的輸入量是（A）。A、二進制B、十進制C、某個特定信息41、發(fā)光二極管的正常工作狀態(tài)是（B）A、正向?qū)妷?.7V；B、正向?qū)妷?.8V以上；C、反向擊穿狀態(tài)42、共發(fā)射極放大電路可把電流放大轉(zhuǎn)換成電壓放大的元件是（

7、C）。A、電阻RBB、電阻REC、電阻RC43、JK觸發(fā)器在CP作用下，若狀態(tài)必須發(fā)生翻轉(zhuǎn)，則應(yīng)使（B）A、J=K=0；B、J=K=1；C、J=0，K=1。44、僅具有保持和翻轉(zhuǎn)功能的觸發(fā)器是（B）。A、JK觸發(fā)器B、T觸發(fā)器C、D觸發(fā)器D、Tˊ觸發(fā)器45.四輸入的譯碼器，其輸出端最多為（D）。A、4個B、8個C、10個D、16個46.譯碼器的輸入量是（A）。A、二進制B、八進制C、十進制D、十六進制47.編碼器的輸出量是（A）。A、二

8、進制B、八進制C、十進制D、十六進制48.下面哪種電路屬于時序邏輯電路（C）？A、譯碼器；B、編碼器；C、計數(shù)器；D、555定時器。49.為避免“空翻”現(xiàn)象，應(yīng)采用（B）方式的觸發(fā)器。A、主從觸發(fā)B、邊沿觸發(fā)C、電平觸發(fā)50.TTL集成邏輯門電路是以（A）為基礎(chǔ)的集成電路A.晶體管；B.二極管；C.場效應(yīng)管；D.晶閘管。51.CMOS邏輯門電路是以（C）為基礎(chǔ)的集成電路。A.晶體管；B.二極管；C.場效應(yīng)管；D.晶閘管。52.組合邏輯電