電子技術基礎復習題

1、電子技術基礎電子技術基礎復習題復習題一、一、選擇題：選擇題：1.在雜質半導體中少子濃度主要取決于（）。A.摻入雜質的濃度B.材料、C.溫度D.不確定2.既能放大電壓，又能放大電流的是（）組態(tài)電路；不能放大電壓，只能放大電流的是（）組態(tài)電路。A、共射B、共基C、共集D、不定3.集成運放輸入級采用差動放大電路是為了()。A、電壓放大倍數(shù)大B、不失真輸出電壓大C、帶負載能力強D、提高共模抑制比4.在基本共射放大電路中，若更換晶體管使β值由50

2、變?yōu)?00則電路的放大倍數(shù)()。A、約為原來的12倍B、約為原來的2倍C、基本不變D、不確定5.橋式整流電路，若變壓器二次繞組電壓有效值U2=20V，輸出電壓平均值U0=()。A、20VB、18VC、9VD、10V6.由NPN管組成的單管基本共射放大電路，輸入信號為正弦波，輸出電壓出現(xiàn)頂部被削平的失真，這種失真是()。A、飽和失真B、截止失真C、頻率失真D、交越失真7.對于橋式整流電路，正確的接法是。8.對于鐘控RS觸發(fā)器，若要求其輸出

3、“0”狀態(tài)不變，則輸入的RS信號。A、RS=X0B、RS=0XC、RS=X1D、XX9下列電路中，屬于時序邏輯電路的是。A、編碼器B、譯碼器C、數(shù)據(jù)選擇器D、數(shù)碼寄存器10.半加器有；全加器有；全加器與半加器的區(qū)別在于。(A)輸入信號過大(B)晶體管輸入特性的非線性(C)電路中有電容23、差動放大器中用恒流源代替長尾Re是為了()(A)提高差模電壓增益(B)提高共模輸入電壓范圍(C)提高共模抑制比24、若AB=AC，則（）(A)B=C；

4、(B)B=；(C)在A=0的條件下，B=CC25、同步計數(shù)器中的同步是指（）（A）各觸發(fā)器同時輸入信號；（B）各觸發(fā)器狀態(tài)同時改變；（C）各觸發(fā)器受同一時鐘脈沖的控制26、由NPN管組成的單管基本共射放大電路，輸入信號為正弦波，輸出電壓出現(xiàn)頂部被削平的失真，這種失真是（）（A）飽和失真（B）截止失真（C）頻率失真27、對PN結施加反向電壓時，參與導電的是（）（A）多數(shù)載流子（B）少數(shù)載流子（C）既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子28、當溫度增

5、加時，本征半導體中的自由電子和空穴的數(shù)量（）（A）增加（B）減少（C）不變29、通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（）A、輸入電阻高B、輸出電阻低C、共模抑制比大D、電壓放大倍數(shù)大30、N個變量的邏輯函數(shù)應該有最小項（）A、2n個B、n2個C、2n個D.、(2n1)個15函數(shù)F=AB轉換成或非－或非式為（）BAA、B、C、D、BABA???BABA???BABA?BABA???31、本征半導體電子濃度______空穴濃