模擬電子技術基礎第四版課后答案-童詩白

1、模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎第四版第四版清華大學電子學教研組編童詩白華成英主編自測題與習題解答自測題與習題解答山東大學物理與微電子學院山東大學物理與微電子學院3第1章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“”和“√”表示判斷結果填入空內。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。(√)(2)因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。()(3)PN結在無光照、無外加電壓時，結電流為零。(√)(

2、4)處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。()(5)結型場效應管外加的柵一源電壓應使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其大的特點。(√)GSR(6)若耗盡型N溝道MOS管的大于零，則其輸入電阻會明顯變小。()GSU二、選擇正確答案填入空內。(l)PN結加正向電壓時，空間電荷區(qū)將A。A.變窄B.基本不變C.變寬(2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C。A.正向導通B.反向截止C.反向擊穿(3)當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結電壓