單片機(jī)宋悅第版習(xí)題參考答案

1、第1頁(yè)共49頁(yè)第1章思考題及習(xí)題參考答案1寫(xiě)出下列二進(jìn)制數(shù)的原碼、反碼和補(bǔ)碼（設(shè)字長(zhǎng)為8位）。（1）001011（2）100110（3）001011（4）111111答：（1）原碼：00001011反碼：00001011補(bǔ)碼：00001011（2）原碼：00100110反碼：00100110補(bǔ)碼：00100110（3）原碼：10001011反碼：11110100補(bǔ)碼：11110101（4）原碼：10111111反碼：11000000補(bǔ)碼

2、：110000012已知X和Y，試計(jì)算下列各題的[XY]補(bǔ)和[XY]補(bǔ)（設(shè)字長(zhǎng)為8位）。(1)X=1011Y=0011(2)X=1011Y=0111(3)X=1000Y=1100答：（1）X補(bǔ)碼=00001011Y補(bǔ)碼=00000011[–Y]補(bǔ)碼=11111101[XY]補(bǔ)=00001110[XY]補(bǔ)=00001000（2）X補(bǔ)碼=00001011Y補(bǔ)碼=00000111[–Y]補(bǔ)碼=11111001[XY]補(bǔ)=00010010[XY

3、]補(bǔ)=00000100（3）X補(bǔ)碼=00001000Y補(bǔ)碼=00001100[–Y]補(bǔ)碼=11110100[XY]補(bǔ)=00010100[XY]補(bǔ)=111111002微型計(jì)算機(jī)由那幾部分構(gòu)成？微機(jī)系統(tǒng)由那幾部分構(gòu)成？答：微型計(jì)算機(jī)由微處理器、存儲(chǔ)器、IO接口電路和系統(tǒng)總線構(gòu)成。微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是在微型計(jì)算機(jī)的基礎(chǔ)上，配上必要的外設(shè)（如鍵盤(pán)、光驅(qū)等）、電第3頁(yè)共49頁(yè)第2章思考題及習(xí)題思考題及習(xí)題參考答案：參考答案：2.1.說(shuō)明ROM、EPR

4、OM、EEPROM和FLASH之間的主要區(qū)別解：ROM為只讀存儲(chǔ)器，在一般情況下只能讀出所存信息，而不能重新寫(xiě)入。信息的寫(xiě)入是通過(guò)工廠的制造環(huán)節(jié)或采用特殊的編程方法進(jìn)行的，一旦寫(xiě)入，就能長(zhǎng)期保存。EPROM芯片一般允許用戶多次編程和擦除。擦除時(shí)，通過(guò)向芯片窗口照射紫外光的方法來(lái)進(jìn)行。EEPROM，也稱(chēng)E2PROM。該類(lèi)芯片允許用戶多次編程和擦除。擦除時(shí)，可采用加電方法在線進(jìn)行。FLASH是一種新型的大容量、速度快、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)

5、器。2.2.EPROM、PROM、動(dòng)態(tài)RAM、靜態(tài)RAM等存儲(chǔ)器中，哪幾類(lèi)是可以隨時(shí)讀寫(xiě)的？解：動(dòng)態(tài)RAM、靜態(tài)RAM這幾類(lèi)是可以隨時(shí)讀寫(xiě)的。2.3某ROM芯片中有12根地址輸入端和8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端，該芯片的存儲(chǔ)容量是多少位？解：芯片的存儲(chǔ)容量是4K8位。2.4.說(shuō)明動(dòng)態(tài)RAM和靜態(tài)RAM的主要區(qū)別，使用時(shí)應(yīng)如何選用？解：靜態(tài)(static)RAM，即SRAM。它以觸發(fā)器為基本存儲(chǔ)單元，所以只要不掉電，其所存信息就不會(huì)丟失。該類(lèi)芯片的集成

6、度不如動(dòng)態(tài)RAM，功耗也比動(dòng)態(tài)RAM高，但它的速度比動(dòng)態(tài)RAM快，也不需要刷新電路。在構(gòu)成小容量的存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)一般選用SRAM。在微型計(jì)算機(jī)中普遍用SRAM構(gòu)成高速緩沖存儲(chǔ)器。動(dòng)態(tài)(Dynamic)RAM，即DRAM。一般用MOS型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件構(gòu)成，最簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)形式以單個(gè)M0S管為基本單元，以極間的分布電容是否持有電荷作為信息的存儲(chǔ)手段，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，集成度高。但是，如果不及時(shí)進(jìn)行刷新，極間電容中的電荷會(huì)在很短時(shí)間內(nèi)自然泄漏，致使信息丟失

7、。所以，必須為它配備專(zhuān)門(mén)的刷新電路。動(dòng)態(tài)RAM芯片的集成度高、價(jià)格低廉，所以多用在存儲(chǔ)容量較大的系統(tǒng)中。目前，微型計(jì)算機(jī)中的主存幾乎都是使用動(dòng)態(tài)RAM。2.5.說(shuō)明NFLASH與NFLASH的主要區(qū)別，使用時(shí)應(yīng)如何選用？解：NFlash具有以下特點(diǎn)：（1）程序和數(shù)據(jù)可存放在同一芯片上，擁有獨(dú)立的數(shù)據(jù)總線和地址總線，能快速隨機(jī)讀取，允許系統(tǒng)直接從Flash中讀取代碼執(zhí)行，而無(wú)需先將代碼下載至RAM中再執(zhí)行；（2）可以單字節(jié)或單字編程，但不

8、能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑘?zhí)行擦除操作，在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行重新編程之前需要對(duì)塊或整片進(jìn)行預(yù)編程和擦除操作。但是NFlash的擦除和編程速度較慢，塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費(fèi)的時(shí)間很長(zhǎng)，在純數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和文件存儲(chǔ)的應(yīng)用中，N技術(shù)顯得力不從心。NFlash具有以下特點(diǎn)：（1）以頁(yè)為單位進(jìn)行讀和編程操作，1頁(yè)為256或512B（字節(jié)）；以塊為單位進(jìn)行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時(shí)間是2m