四探針測試儀測量薄膜的電阻率(2012)_第1頁
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文檔簡介

1、四探針測試儀測量薄膜的電阻率四探針測試儀測量薄膜的電阻率一、一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?shí)驗(yàn)?zāi)康?、掌握四探針法測量電阻率和薄層電阻的原理及測量方法;2、了解影響電阻率測量的各種因素及改進(jìn)措施。二、實(shí)驗(yàn)儀器二、實(shí)驗(yàn)儀器采用SDY5型雙電測四探針測試儀(含:直流數(shù)字電壓表、恒流源、電源、DCDC電源變換器)。三、實(shí)驗(yàn)原理三、實(shí)驗(yàn)原理電阻率的測量是半導(dǎo)體材料常規(guī)參數(shù)測量項(xiàng)目之一。測量電阻率的方法很多,如三探針法、電容電壓法、擴(kuò)展電阻法等。四探針法則是一種廣

2、泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法,在半導(dǎo)體工藝中最為常用。1、半導(dǎo)體材料體電阻率測量原理、半導(dǎo)體材料體電阻率測量原理在半無窮大樣品上的點(diǎn)電流源,若樣品的電阻率ρ均勻,引入點(diǎn)電流源的探針其電流強(qiáng)度為I,則所產(chǎn)生的電場具有球面的對稱性,即等位面為一系列以點(diǎn)電流為中心的半球面,如圖1所示。在以r?yàn)榘霃降陌肭蛎嫔希娏髅芏龋甑姆植际蔷鶆虻模喝鬍為r處的電場強(qiáng)度,則:由電場強(qiáng)度和電位梯度以及球面對稱關(guān)系,則:?。?yàn)闊o窮遠(yuǎn)處的電位為零,則:(1)drdE???dr

3、rIEdrd22?????????????????)(022rrrrdrEdrd????圖2任意位置的四探針圖1點(diǎn)電流源電場分布rlr???2)(?3另一種情況是極薄樣品,極薄樣品是指樣品厚度d比探針間距小很多,而橫向尺寸為無窮大的樣品,這時(shí)從探針1流入和從探針4流出的電流,其等位面近似為圓柱面高為d。任一等位面的半徑設(shè)為r,類似于上面對半無窮大樣品的推導(dǎo),很容易得出當(dāng)r12=r23=r34=S時(shí),極薄樣品的電阻率為:上式說明,對于極薄

4、樣品,在等間距探針情況下,探針間距和測量結(jié)果無關(guān),電阻率和被測樣品的厚度d成正比。就本實(shí)驗(yàn)而言,當(dāng)1、2、3、4四根金屬探針排成一直線且以一定壓力壓在半導(dǎo)體材料上,在1、4兩處探針間通過電流I,則2、3探針間產(chǎn)生電位差V23。材料電阻率:(2)(2)式中:S為相鄰兩探針1與2、2與3、3與4之間距,就本實(shí)驗(yàn)而言,S=1mm,C?6.28?0.05(mm)。若電流取I=C時(shí),則ρ=V,可由數(shù)字電壓表直接讀出。2、擴(kuò)散層薄層電阻(方塊電阻)

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