硅片專業(yè)術(shù)語

1、硅片專業(yè)術(shù)語AcceptAnelementsuchasbonindiumgalliumusedtocreateafreeholeinasemiconduct.Theacceptatomsarerequiredtohaveonelessvalenceelectronthanthesemiconduct.受主一種用來在半導(dǎo)體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導(dǎo)體元素少一價電子AlignmentPrecisionDisplac

2、ementofpatternsthatoccursduringthephotolithographyprocess.套準(zhǔn)精度在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度。AnisotropicAprocessofetchingthathasverylittlenoundercutting各向異性在蝕刻過程中，只做少量或不做側(cè)向凹刻。AreaContaminationAnyfeignparticlesmaterialthatarefoundonthesur

3、faceofawafer.Thisisviewedasdiscoledsmudgeditistheresultofstainsfingerprintswaterspotsetc.沾污區(qū)域任何在晶圓片表面的外來粒子或物質(zhì)。由沾污、手印和水滴產(chǎn)生的污染。AzimuthinEllipsometryTheanglemeasuredbetweentheplaneofincidencethemajaxisoftheellipse.橢圓方位角測量入射

4、面和主晶軸之間的角度。BacksideThebottomsurfaceofasiliconwafer.(Note:Thistermisnotpreferredinsteaduse‘backsurface’.)背面晶圓片的底部表面。（注：不推薦該術(shù)語，建議使用“背部表面”）BaseSiliconLayerThesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatlayerwhichsupptsthes

5、iliconfilmontopofthewafer.底部硅層在絕緣層下部的晶圓片，是頂部硅層的基礎(chǔ)。BipolarTransiststhatareabletousebothholeselectronsasgecarriers.雙極晶體管能夠采用空穴和電子傳導(dǎo)電荷的晶體管。BondedWafersTwosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxidewhichactsasani

6、nsulatinglayer.綁定晶圓片兩個晶圓片通過二氧化硅層結(jié)合到一起，作為絕緣層。BondingInterfaceTheareawherethebondingoftwowafersoccurs.綁定面兩個晶圓片結(jié)合的接觸區(qū)。BuriedLayerApathoflowresistancefacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyarsenic.解理分級分級解理可分為四

7、級：完全、清楚、不清楚、無（或五級：最完全解理、完全解理、中等解理、不完全解理、極不完全解理或稱無解理）。方向不同礦物的解理，可能有一個方向，也可能有多個方向。常見的有一向（石墨、云母等）、二向（角閃石等）、三向（方解石等），此外還有四向（如螢石）、六向（如閃鋅礦）解理。不同類礦物解理不同的礦物解理也常不一樣最完全解理礦物晶體極易裂成薄片，解理面較大而平整光滑，如云母，石膏等完全解理礦物極易裂成平滑小塊或薄板，解理面相當(dāng)光滑，如方解石，