eeprom的擴(kuò)展

1、6.3.26.3.2EEPROMEEPROM的擴(kuò)展的擴(kuò)展11、電可擦除只讀存儲(chǔ)器、電可擦除只讀存儲(chǔ)器、電可擦除只讀存儲(chǔ)器EEPROMEEPROMEEPROM的性能的性能的性能電可擦除只讀存儲(chǔ)器電可擦除只讀存儲(chǔ)器電可擦除只讀存儲(chǔ)器EEPROMEEPROMEEPROM（（EE22PROMPROMPROM：：ElectricallyElectricallyElectricallyErasableErasableErasableProgramm

2、ableProgrammableProgrammableOnlyOnlyOnlyMemyMemyMemy）既可像）既可像）既可像EPROMEPROMEPROM那樣長期非易失地保存信息，又可像那樣長期非易失地保存信息，又可像那樣長期非易失地保存信息，又可像RAMRAMRAM那樣隨時(shí)用電改寫，近年那樣隨時(shí)用電改寫，近年那樣隨時(shí)用電改寫，近年來出現(xiàn)了快擦的來出現(xiàn)了快擦的來出現(xiàn)了快擦的FLASHFLASHFLASHEEPROMEEPROMEEP

3、ROM，它們被廣泛用作單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。其，它們被廣泛用作單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。其，它們被廣泛用作單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。其主要優(yōu)點(diǎn)是能在應(yīng)用系統(tǒng)中進(jìn)行在線改寫，并能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)而不需保護(hù)電源。主要優(yōu)點(diǎn)是能在應(yīng)用系統(tǒng)中進(jìn)行在線改寫，并能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)而不需保護(hù)電源。主要優(yōu)點(diǎn)是能在應(yīng)用系統(tǒng)中進(jìn)行在線改寫，并能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)而不需保護(hù)電源。因此，在智能儀表、控制裝置、分布式監(jiān)測(cè)系統(tǒng)子站、開

4、發(fā)裝置中得到廣泛應(yīng)用。因此，在智能儀表、控制裝置、分布式監(jiān)測(cè)系統(tǒng)子站、開發(fā)裝置中得到廣泛應(yīng)用。因此，在智能儀表、控制裝置、分布式監(jiān)測(cè)系統(tǒng)子站、開發(fā)裝置中得到廣泛應(yīng)用。目前，常用的目前，常用的目前，常用的EEPROMEEPROMEEPROM如表如表如表626262，它們有如下共同特點(diǎn)：，它們有如下共同特點(diǎn)：，它們有如下共同特點(diǎn)：（（11）能在線修改，其產(chǎn)品改寫程序時(shí)，不必脫機(jī)用紫外線照射，用）能在線修改，其產(chǎn)品改寫程序時(shí)，不必脫機(jī)用紫外線

5、照射，用）能在線修改，其產(chǎn)品改寫程序時(shí)，不必脫機(jī)用紫外線照射，用5V5V5V電壓在線就可電壓在線就可電壓在線就可以進(jìn)行電修改，而且在斷電情況下長期保存信息不變。每個(gè)存儲(chǔ)單元可重復(fù)使用以進(jìn)行電修改，而且在斷電情況下長期保存信息不變。每個(gè)存儲(chǔ)單元可重復(fù)使用以進(jìn)行電修改，而且在斷電情況下長期保存信息不變。每個(gè)存儲(chǔ)單元可重復(fù)使用11萬次，萬次，萬次，信息保存時(shí)間為信息保存時(shí)間為信息保存時(shí)間為101010年；年；年；（（22）在線改寫時(shí)，在寫入一

6、個(gè)字節(jié)之前，自動(dòng)地對(duì)所要寫入的單元先進(jìn)行擦除，因而）在線改寫時(shí)，在寫入一個(gè)字節(jié)之前，自動(dòng)地對(duì)所要寫入的單元先進(jìn)行擦除，因而）在線改寫時(shí)，在寫入一個(gè)字節(jié)之前，自動(dòng)地對(duì)所要寫入的單元先進(jìn)行擦除，因而無需設(shè)置單獨(dú)的擦抹操作，使用方便；無需設(shè)置單獨(dú)的擦抹操作，使用方便；無需設(shè)置單獨(dú)的擦抹操作，使用方便；（（33）能快速讀出。讀取指令碼或數(shù)據(jù)的操作與普通）能快速讀出。讀取指令碼或數(shù)據(jù)的操作與普通）能快速讀出。讀取指令碼或數(shù)據(jù)的操作與普通EPROM

7、EPROMEPROM相同，但目前擦抹時(shí)間為相同，但目前擦抹時(shí)間為相同，但目前擦抹時(shí)間為nsnsns級(jí)，寫入時(shí)間為級(jí)，寫入時(shí)間為級(jí)，寫入時(shí)間為msmsms級(jí)；級(jí)；級(jí)；由于由于由于EE22PROMPROMPROM的以上特點(diǎn)，彌補(bǔ)了的以上特點(diǎn)，彌補(bǔ)了的以上特點(diǎn)，彌補(bǔ)了EPROMEPROMEPROM不足之處，也可代替不足之處，也可代替不足之處，也可代替RAMRAMRAM使用，目前在實(shí)際應(yīng)使用，目前在實(shí)際應(yīng)使用，目前在實(shí)際應(yīng)用中越來越受到重視。常

8、用的用中越來越受到重視。常用的用中越來越受到重視。常用的EE22PROMPROMPROM芯片引腳信號(hào)與相應(yīng)的芯片引腳信號(hào)與相應(yīng)的芯片引腳信號(hào)與相應(yīng)的RAMRAMRAM和和EPROMEPROMEPROM芯片兼容，見表芯片兼容，見表芯片兼容，見表626262。。表表626262常用的常用的常用的EEPROMEEPROMEEPROM型號(hào)引腳數(shù)容量字節(jié)引腳兼容的存儲(chǔ)器2816242KB2716，61162817282KB2864288KB276

9、4，626428C2563232KB27C25628F5123264KB27C51228F01032128KB27C01028F02032256KB27C02028F04032512KB27C0402、E2PROM2817A擴(kuò)展電路圖610E2PROM2817A的擴(kuò)展電路圖中采用了將外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間和程序存儲(chǔ)器空間混合的方法。2817A的端由OE和相“與”后提供，無論是有效還是有效，都使有效，這種連RDPSENRDPSENOE接方法是

10、把E2PROM既可作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器使用，又可作為程序存儲(chǔ)器使用。當(dāng)執(zhí)行“MOVX”指令時(shí)，產(chǎn)生、信號(hào)，將程序裝入2817A中，很容易讀寫修改。當(dāng)執(zhí)行該E2PROMRDWR中的程序時(shí)，由信號(hào)選通E2PROM讀出。PSEN圖610中，若將2817A的直接與相連，則把2817A按程序存儲(chǔ)器看待。OEPSEN注意：2817A有“擦、寫完畢”聯(lián)絡(luò)信號(hào)引出端RDY。在擦、寫期間，RDYBUSY為低電平，當(dāng)字節(jié)擦寫完畢時(shí)，RDY腳為高電平，因此圖610

11、中將8031BUSYBUSY的P1.0與RDY相連，通過P1.0來查尋RDY的狀態(tài)，以便判定字節(jié)是否擦BUSYBUSY寫完畢。若采用中斷方式，將RDY與8031的相連，這樣，每當(dāng)BUSY0INT1INT2817A擦寫完一個(gè)字節(jié)便向8031提出一次中斷申請(qǐng)。由于RDY為漏極開路輸出端口，在RDY有效期間為高阻態(tài)，故應(yīng)接入一個(gè)提升BUSY電阻到＋5V端以保證高電平。3、E2PROM2864擴(kuò)展電路2864為8K8電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，NM