cucl晶體的生長及表征【開題報告】

1、開題報告開題報告應用化學應用化學CuClCuCl晶體的生長及表征晶體的生長及表征一、選題的背景與意義在研究CuCl晶體生長的過程中，由于電光CuCl晶體是低溫γ相，只有在360℃以下才能穩(wěn)定存在。另外，還發(fā)現(xiàn)在200℃以上，CuCl的溶液一般也不穩(wěn)定。因此，要得到大尺寸、高光學質(zhì)量的CuCl晶體應利用低溫助溶劑或溶劑，在200℃以下，用溶液法來生長。這種生長方法的關鍵就是生長溶劑的選擇。過去，人們選用的溶劑一般只有分子型無機或有機溶劑，

2、但CuCl在這些溶劑中要么溶解度很小，要么結晶差，要么不能穩(wěn)定存在。很難生長得到大尺寸、高質(zhì)量的單晶體。在充分調(diào)研和一定預研基礎上，發(fā)現(xiàn)從20世紀80年代開始出現(xiàn)的一類全新的溶劑——離子液體，有望成為一類非常好的CuCl生長溶劑。離子液體是由特定的有機正離子和無機負離子組成的液態(tài)熔鹽體系。具有非揮發(fā)性、低熔點（一般200℃以下）、寬液程、高穩(wěn)定性、高溶解力等特性。并可通過選擇適當?shù)年庪x子或微調(diào)陽離子的烷基鏈，改變離子液體的物化性質(zhì)。在2

3、0世紀90年代末開始出現(xiàn)研究熱潮，并逐漸與傳統(tǒng)的技術領域交叉融合，展現(xiàn)出其特定的物化性質(zhì)及特有的功能。在有機合成、催化反應、電化學、分離提純等方面有了很好的應用[21]。作為一類新出現(xiàn)的溶劑，對它的應用研究還方興未艾，還有很多待開發(fā)的研究領域。這也為晶體生長提供了一種新的選擇方向。最后根據(jù)離子液體結構特性和CuCl的相關性質(zhì)，選擇了一些鹵化烷基類離子液體為生長體系，研究CuCl在其中生長結晶。鹵化烷基類離子液體內(nèi)部有很強的庫侖力，并有鹵

4、素陰離子存在，容易和亞銅離子配位。這樣使得它們有可能很好的溶解CuCl。最終，選擇在鹵化烷基類離子液體中生長CuCl晶體。一、研究的基本內(nèi)容與擬解決的主要問題：根據(jù)CuCl在溶劑中的特性，選擇合適的生長方法，設計晶體生長裝置。優(yōu)化組合溶液過飽和度、生長溫區(qū)、晶體轉速等工藝參數(shù)來提高晶體的質(zhì)量。獲得厘米尺寸高質(zhì)量的CuCl晶體并進行表征。二、研究的方法與技術路線：一、研究方法文獻查閱和進行實驗。二、技術路線1、利用CuCl離子液體二元體系

5、相圖，選擇生長溫度區(qū)間。根據(jù)溶液的特點，采用惰性氣體保護下溫差法、降溫法來研究CuCl晶體材料的生長方法、設備。[11]F.BloisiL.VicariLaserbeammanipulationbycompositematerialelectroopticdevicesOpticsLasersinEngineering200339(3)389408[12]T.B.YoungJ.K.SungH.K.SunC.Y.JongLinearEle

6、ctroOpticCoecientofaGaAsAl0:4Ga0:6AsPhaseModulatJournaloftheKeanPhysicalSociety200445(5)11621164[13]E.K.JamesY.AmnonElectroopticacteristicsofCdTeat3.3910.6AppliedPhysicsLetters196915(1)2627[14]S.LewonczukJ.G.GrossJ.Ringe

7、issenRealisticbstructureofcuprouschlidePhys.Rev.B1983271259–1270[15]J.RiveraL.A.MurrayP.A.HossGrowthofcopruschlidesinglecrystalsfopticalmodulatsJournalofCrystalGrowth19671(4)171176[16]T.GotoT.TakahashiM.UetaExcitonLumine

8、scenceofCuClCuBrCuISingleCrystalsJ.Phys.Sco.Japan.196824314327[17]A.F.ArmingtonJ.JohnOConnThegelgrowthofclearcuprouschlidecrystalsMaterialsResearchBulletin196710(2)907911[18]W.R.WilcoxR.A.CleyCzochralskigrowthofCuClMater

9、ialsResearchBulletin19675(2)571579[19]T.InoueM.KuriyamaH.KomatsuGrowthofCuClsinglecrystalsbythetopseededsolutiongrowthmethodJournalofCrystalGrowth1991112(2)531538[20]J..KvapilB.PernerSomepropertiesientationofCuClsinglecr