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文檔簡介
1、本文研究了PbO和WO<,3>粉體在比PbWO<,4>晶體生長溫度低很多的條件下先合成多晶體粉體,再將多晶粉體熔化成多晶料并采用坩堝下降法進行晶體生長,探討了生長工藝對PWO晶體性能的影響。并對大尺寸PWO晶體的生長進行了初步實驗。 PbO和WO<,3>粉體在700℃反應溫度下,雖然大部分生成PWO多晶粉體但還有少量的PbO和WO<,3>存在;當反應溫度升高到1 000℃時雖然PbO和WO<,3>反應形成了Stolzite型PW
2、O多晶粉體,但與JCPDF卡片相比,其次峰順序出現(xiàn)的角度發(fā)生了變化,這有可能是由于PbO和WO<,3>在反應過程中不等比例揮發(fā)造成的;與其它反應溫度相比,在800℃時PbO和WO<,3>反應形成了很好的Stolzite結(jié)構(gòu)PbWO<,4>多晶粉體。 經(jīng)過原料前期合成處理生長出來的PWO晶體的整體透過率要明顯優(yōu)于未經(jīng)原料處理過的晶體,在350 nm和420 nm處的透過率得到了增強并且截止波長向短波段移動。 經(jīng)過原料前期成
3、分處理的晶體在100 ns和200 ns內(nèi)的光輸出分別為16.1 p.e/MeV和17.1 p.e/MeV,比未經(jīng)過處理的晶體高出35.2%和23.9%。并且晶體的抗輻照能力得到了改善。 我們成功地生長出了Φ50×100 mm大尺寸晶體,但是,由于所生長晶體尺寸大,熔體的自然對流現(xiàn)象增強,嚴重影響晶體生長界面的穩(wěn)定性,使熔體容易產(chǎn)生局部組分過冷形成各種包裹物,給生長缺陷少的大尺寸PWO晶體增加了難度,再加上坩堝設計的問題和晶體在
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