24665.mgxzn1xo光學薄膜的制備及光學性質研究

1、分類號：Q塹窆UDC：MgxZnlxO光學薄膜的制備及光學性質研究PREPARATIONANDOPTICALPROPERTIESOFMgxZnlxOOPTICALTHINFILMS學位授予單位及代碼：量鲞堡王太堂(!Q!墨魚2學科專業(yè)名稱及代碼：迸堂(QZQ2QZ2論文起止時間：2Q12111=2Q13112摘要ZnO是寬禁帶、高激子束縛能的新型半導體材料，具有優(yōu)異的光電特性，因此被公認為重要的光電材料之一。為了得到更寬帶隙的ZnO基合

2、金材料，需要尋找到一種禁帶寬度更大的材料摻入到ZnO中實現對其帶隙的調節(jié)。在ZnO中摻入Mg元素后，可以使MgxZnlXO合金薄膜的帶隙在33eV～78eV的大范圍內得到連續(xù)的調節(jié)。所以MgxZnlxO合金薄膜作為一種新型的IIVI族半導體材料，己成為目前的研究熱點。本文利用原子層沉積法(ALD)，通過改變襯底溫度、Mg摻雜濃度和退火溫度等實驗參數，制備了ZnO、MgxZnlxO合金薄膜。并分別采用X射線衍射(XRD)，光致發(fā)光譜(PL

3、)，紫外可見吸收光譜(Uvvis)和掃描電子顯微鏡(SEM)對樣品的結晶質量、光學特性以及表面結構進行了測試分析。測試結果表明：襯底溫度為170℃時，MgxZnlxO合金薄膜的紫外(UV)發(fā)射強度和晶體質量相對最優(yōu)；薄膜的禁帶寬度可以通過控制薄膜中Mg的組分進行有效地調節(jié)；適當溫度的退火處理對于薄膜晶體質量和光學性質的改善起到至關重要的作用。以及ALD技術具有很好的保型性，通過進行Mg元素摻雜制備的MgxZnlxOPVP復合結構的納米纖